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快捷新開發Dual Cool封裝提高60%功率耗散能力

上網時間: 2010年10月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Dual Cool  封裝  PQFN  散熱  MOSFET 

為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈開發出適用於 MOSFET 元件的 Dual Cool 封裝──這是一種採用嶄新封裝技術的頂部冷卻 (top-side cooling) PQFN元件,可以經由封裝的頂部提供額外的功率耗散。

快捷表示,隨著電源模組、電訊和伺服器等DC-DC應用設備的空間變得愈來愈緊湊,設計人員也在積極地找尋更小的元件,以克服其設計上的挑戰,而元件的散熱性能是人們關注的考慮因素。

Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著地減低從接面到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時,可將功率耗散能力提高60%以上。此外,採用Dual Cool 封裝的MOSFET藉由使用快捷半導體專有的PowerTrench製程技術,能夠以較小的封裝尺寸提供更低的RDS(ON)和更高的負載電流。

不同於其他採用頂部冷卻的解決方案,這些元件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封裝選項。Dual Cool封裝的占位面積與產業標準的PQFN相同,可讓電源工程師快速驗證採用Dual Cool封裝的MOSFET元件,無需採用非標準封裝,即可獲得更佳的熱效率。

目前採用Dual Cool封裝的元件包括 FDMS2504SDC, FDMS2506SDC, FDMS2508SDC, FDMS2510SDC (5mm x 6mm)和 FDMC7660DC (3.3mm x 3.3mm),這些元件是用於DC-DC轉換器、電訊次級側整流和高階伺服器/工作站應用的同步整流MOSFET的理想選擇。快捷半導體Dual Cool 封裝MOSFET具有頂部冷卻和超低接面溫度(RthJA)特性,能夠提升散熱效率。採用Dual Cool封裝的MOSFET元件可以使用或不使用散熱片。





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