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相變化記憶體已悄悄進駐手機產品?

上網時間: 2010年12月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:拆解分析  相變化記憶體  手機  三星  快閃記憶體 

相變化記憶體(phase-change memory,PCM)已經悄悄現身在手機產品中?根據工程顧問機構 UBM TechInsights 的一份拆解分析報告,發現在某款神秘手機中,有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多晶片封裝(multi-chip package,MCP)記憶體,內含與NOR快閃記憶體相容的相變化記憶體晶片。

TechInsights拆解的手機產品,基於客戶機密不透露型號與廠牌;該機構表示,要等到與客戶之間的工作告一段落,才能公佈該手機到底是哪一款。三星曾於4月時透露,該公司將在第二季出貨一款內含512Mbit相變化記憶體晶片的 MCP ;當時三星並未透露該產品將採用哪種製程技術,僅表示該產品「相當於40奈米NOR快閃記憶體。」

業界認為三星將採用65奈米至60奈米製程生產上述記憶體;而拆解分析報告以顯微鏡所量測出的半間距(half-pitch)記憶體長度(如下圖),是每微米(micron) 8個記憶單元(cell),就證實了以上的猜測。

三星512Mbit相變化RAM的橫切面
三星512Mbit相變化RAM的橫切面

現在已經被美光(Mciron)合併的恆憶(Numonyx),在2008年發表了一款90奈米製程128Mbit相變化記憶體,並在2010年4月以Omneo系列串列/並列存取記憶體問世;但是到目前為止,該公司都未透露任何有關該產品的設計案或是量產計畫。此外恆憶也開發了一款45奈米製程的1Gbit相變化記憶體,但這款原本預期今年上市的產品,迄今也未有後續消息。

UBM TechInsights已經確認,三星的512Mbit相變化RAM (PRAM)晶片,商標號碼為KPS1N15EZA,與一顆128Mbit UtRAM晶片以MCP形式封裝在一起,並應用於手機產品中。該款三星的PRAM晶片由4層鋁互連層與記憶體元素所組成,頂部與底部的電極(electrode contacts)是裝置在鋁金屬與矽基板之間。

內含PCM的MCP記憶體外觀
內含PCM的MCP記憶體外觀

「最近業界對相變化記憶體技術的微縮極限有爭議,再加上恆憶的產品延遲量產,讓人質疑PRAM是否真能接班成為新一代記憶體;」UBM TechInsights 資深顧問Young Choi表示:「對相變化記憶體已經應用在手機的發現,清楚表明了產品設計工程師已經開始使用這種具潛力的技術。」

包含相變化記憶體MCP的手機主機板拆解圖
包含相變化記憶體MCP的手機主機板拆解圖

(參考原文: Update: PCM found in handset ,by Peter Clarke)





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