Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 放大/轉換
 
 
放大/轉換  

效率40%的3G CMOS PA欲搶佔傳統GaAs市場

上網時間: 2011年01月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:BST34  BST35  TruePower  GaAs  PA 

美國無晶圓半導體公司 Black Sand Technologies 發佈效能可與砷化鎵(GaAs)匹敵的 CMOS 3G RF 功率放大器(PA)產品線,據表示,新推出的 BST34BST35 系列效率均達到了40%,最大輸出功率則可達到28dBm。該產品預計今年2月出樣。

BST34 是專門設計來取代現有3G砷化鎵(GaAs) RF功率放大器的簡易方案,因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。

BST35系列具備TruePower高效能功率檢測器,可提高總輻射功率(TRP)效能達2dB,並可在實際工作環境中降低掉話率,及提高數據傳輸速率。 BST3501是首款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。

現今手機設計師關注的重點可歸納為三項:吸引人的外觀設計;提高總輻射功率;以及SAR (特定吸收率)安全考量。“手機設計師們都在追求更高的TRP,以降低斷話風險,但在提高TRP的同時,更要關注SAR安全問題,”Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden說。

隨著智慧手機中整合的PA數量愈來愈多,平衡TRP和SAR的迫切性也隨之提高。透過該公司自行開發的內建TrueDelivered功率檢測器,行動裝置可以安全地提高TRP。與GaAs相較,BST35系列可再提高約2dB的TRP,但卻能同時兼顧SAR安全性。

提高TRP還有個好處,營運商或許不用再增設更多Femtocell基地台,因為發射功率已經足夠遠了。這是所有營運商都關心的重點之一,Nohrden表示。

Black Sand 初期將瞄準己臻成熟的3G市場,應用領域包含手機、行動可攜裝置、平板電腦、數據卡、模組等,在台灣和亞太區將由富威集團(Rich Power Electronic Devices Co., Ltd.)經銷並提供支援。

Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示,行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術,因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。3G行動裝置的 PA 數量是 2G 手機的2至3倍,而我們的產品將為客戶帶來更高效能,以及更可靠的供應來源。

BST34和BST35採用 3x3mm 10pin封裝。BST34系列產品包括內建的定向耦合器及菊鏈支援、以及整合式的過壓和過溫保護電路。 BST35產品包含Black Sand的TrueDelivered功率針偵測技術,並擁高出砷化鎵功率放大器10倍的100:1 VSWR(駐波比)。

Nohrden透露,在該公司進行的一項測試中,與目前市面上一款已用於量產、附加了100美元高階耦合器,以及功率檢測器的砷化鎵PA方案相比,其BST35系列可達到高出1dB的TRP;而若與一款帶內建式耦合的GaAs PA相比,其BST35系列可達到3dB的TRP改良。 (鄧榮惠)





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 效率40%的3G CMOS PA欲搶佔傳統GaAs市...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首