EPC新款無鉛eGaN FET符合RoHS要求

EPC2001 FET是一款100 VDS元件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，閘極電壓為5V。EPC2015是一款40 VDS元件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進的矽基功率MOSFET相比，這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優勢。兩種元件都具有低導通電阻，體積比相同電阻的矽元件更小，並且具有卓越許多倍的開關性能。

EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET。據表示，eGaN FET的主要應用包括直流-直流電源、負載點轉換器、D類音效放大器、筆記型電腦和上網本電腦、LED驅動電路和電信基地台。