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EPC新款無鉛eGaN FET符合RoHS要求

上網時間: 2011年03月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:氮化鎵  eGaN  FET  EPC2001  EPC2015 

宜普電源轉換公司(EPC)稍早前推出兩款 EPC2001 和 EPC2015 無鉛增強型氮化鎵 (eGaN) FET,新元件符合RoHS(有害物質限制條例)要求。該公司並計劃在今後4個月內,讓全系列 eGaN FET 產品線無鉛化,且完全符合RoHS要求。

EPC2001 FET是一款100 VDS元件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,閘極電壓為5V。EPC2015是一款40 VDS元件,RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進的矽基功率MOSFET相比,這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優勢。兩種元件都具有低導通電阻,體積比相同電阻的矽元件更小,並且具有卓越許多倍的開關性能。

EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET。據表示,eGaN FET的主要應用包括直流-直流電源、負載點轉換器、D類音效放大器、筆記型電腦和上網本電腦、LED驅動電路和電信基地台。





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