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Fairchild宣佈收購碳化矽功率電晶體供應商TranSiC

上網時間: 2011年04月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:快捷  碳化矽  收購  SiC  TranSiC 

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)宣佈收購碳化矽(Silicon Carbide,SiC)功率電晶體供應商TranSiC ,該公司表示,這項收購為快捷半導體帶來具有充分驗證之領先效率、可在超廣溫度範圍下有出色性能、以及優於 MOSFET 和JFET技術的卓越性能之雙極 SiC 電晶體技術。快捷半導體同時藉此獲取經驗豐富的SiC工程師和科學家團隊,以及多項 SiC 技術專利。

快捷半導體技術長Dan Kinzer指出:「憑著SiC技術的高性能表現,功率轉換效率可被大大提高。它還提供更高的轉換速度,可以縮小的終端系統外形尺寸。碳化矽技術在市場已有一定地位,同時在寬能隙(wide bandgap)領域擁有強大優勢,適合需要600V以上電壓的應用,並且展現出色的穩健性和可靠性。」

SiC技術的優勢還包括:在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降(Voltage Drop);較高的電流密度、較高的運作溫度、極低的熱阻抗;只有多數載流子傳導,具有超快的開關速度; 採用電流增益範圍為100的通常關斷運作(off operation)方式,提供簡便的驅動解決方案;由於採用正溫度系數電阻元件,可以達成簡易並聯。

另外快捷半導體指出,SiC元件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限,並且成功在25ns的導通和關斷時間範圍內展示出800V下的50A開關運作;這些元件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。

這些高增益SiC雙極元件適合井下鑽探、太陽能變流器、風力變流器、電動及複合動力汽車、工業驅動、UPS和輕軌牽引應用中的高功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計,到2020年,這些市場的規模將達到接近10億美元。

快捷表示,TranSiC元件具有領先業界的效率,可將成熟的矽技術元件的相關損耗減少達50%,或在相同的損耗條件下,將頻率提升達四倍。SiC元件具有顯著縮小的尺寸、較少的被動元件,能夠降低整體系統成本和提升價值。快捷正在為目標應用提供最高50A額定電流的1200V初始產品之樣品,並將於未來開發具有更高電壓和電流範圍的產品,繼續推動省能工作。





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