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功率技術/新能源  

雜訊從何而來?

上網時間: 2011年06月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:電源放大器  雜訊  功率  系統設計  失真 

自從CMOS單一電源放大器上市,讓全球的系統設計人員受益良多,影響雙電源放大器總諧波失真及雜訊(THD+N) 的主要因素,是輸入雜訊和輸出級交越失真。單一電源放大器的 THD+N 效能,來自於放大器的輸入和輸出功率級,然而,輸入功率級對於 THD+N 的影響,使得單一電源放大器的規格更加複雜。

有兩種單一電源放大器拓樸,可以接受電源之間的輸入訊號。圖一a 顯示的拓樸具有一個互補差動輸入功率級。在此拓樸中,放大器輸入在負電源軌附近時,PMOS 電晶體為 ON,而 NMOS 電晶體為 OFF。放大器的輸入更接近於正電源軌時,NMOS 電晶體為 ON,而 PMOS 電晶體為 OFF。

這種拓樸設計在共模輸入範圍,存在極大的放大器偏移電壓。在接地附近的輸入區域,PMOS 電晶體的偏移誤差為主要誤差。在正電源附近的區域,NMOS 電晶體對主導偏移誤差。由於放大器輸入通過這兩個區域之間,因此兩個電晶體均為 ON。最終結果是,輸入偏移電壓將在兩個功率級之間變化。

PMOS 和 NMOS 均為 ON 時,共模電壓區域約為 400 mV。這種交越失真現象,會影響放大器的總諧波失真 (THD)。若以非反相配置來設定互補輸入放大器,則輸入交越失真就會影響放大器的 THD+N 效能。

請下載PDF文件,以閱讀完整文章。

作者:Bonnie C. Baker / 德州儀器(TI)





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