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Ramtron開始出樣「IBM製造」的F-RAM晶片

上網時間: 2011年06月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:F-RAM  FM24C04C  FM24C16C  儲存  代工 

低功耗鐵電記憶體(F-RAM)供應商Ramtron International Corporation 宣佈,開始提供以IBM公司新生產線上製造的首批先期驗證(pre-qualification)鐵電記憶體(F-RAM)之晶片樣品── FM24C04CFM24C16C

FM24C04C 和 FM24C16C是位元密度分別為4kbit和16kbit的串列5V F-RAM產品,這些元件可為電子系統提供高性能的非揮發性資料收集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非揮發性RAM記憶體的性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。

Ramtron公司執行長 Eric Balzer表示:「FM24C04C和FM24C16C先期驗證晶片符合資料表上的所有規格和公司嚴格品質標準的要求,現在這批樣品可以提供給客戶進行產品評估。在測試完成後,我們將會提供其它晶片樣品,包括3V的I2C和3V及5V的SPI產品。」

FM24C04C和FM24C16C採用串列I2C介面,工作電流為100μA(100kHz時的典型值),匯流排運行頻率最高可達1MHz。這些元件適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和運算應用及其它領域,可直接當作4和16千位元串列EEPROM記憶體的替代產品。FM24C04C和FM24C16C均採用工業標準的8接腳SOIC封裝,工業工作溫度範圍為-40℃至+85℃。

Ramtron公司FM24CxxC產品的單位元組(single-byte)寫入速度比EEPROM快200倍。此外,與之前記錄新資料需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM元件相比,這些元件具有無延遲特性,能夠以標準匯流排速度寫入。FM24C04C和FM24C16C的寫入週期為1兆(trillion)個,而EEPROM的則只有100萬個。與同類的非揮發性記憶體產品相比,它們具有極低的工作電流。

Ramtron和IBM於2009年初達成代工服務協議,IBM在其位於美國佛蒙特州Burlington的先進晶圓生產設施中部署了Ramtron的F-RAM半導體製程技術。Ramtron的專有F-RAM技術堆疊已經加入到IBM的 0.18微米CMOS製程中,用於生產Ramtron的標誌性高性能非揮發性F-RAM產品。





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