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光源供應商看好EUV導入量產時程

上網時間: 2011年07月06日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:紫外光微影  EUV  光源  晶圓  LPP 

儘管紫外光微影(EUV)的一再延遲,已讓人對於它的實際商用時程產生疑問,但 EUV 光源供應商 Cymer 表示,隨著可提高晶圓產出的新一代光源技術日漸成熟,預估最快在14nm節點, EUV 將可望導入晶圓的量產中。

Cymer迄今已出貨四套3100光源。其3100 EUV光源預計在2011年底可達到平均曝光功率105W,每小時吞吐量約60片晶圓(WPH)。該公司預計2012年可開始量產出貨3300光源,功率提高到250W,每小時吞吐量則提高到了100~120片晶圓。“這些產品規格是我們與ASML共同制定,”Cymer 公司微影應用總監Benjamin Lin說。

不久前,業界還認為光源功率的提升是實現EUV量產應用的一大阻礙,但業界廠商的努力,看來可望加速達到此一目標。

EUV 目前仍是下一代微影術(NGL)的首選。晶片產業開始採用EUV的關鍵,是其吞吐量指標必須符合成本效益,其中光源又是驅動吞吐量的關鍵。而從目前的技術來看,“我們採用的雷射激發電漿型(LPP)光源技術,是實現功率調節的最佳方案,”Lin說。

與另一種放電激發電漿型(DPP)技術相比,“LPP擁有機台較小、易於發展大功率、更高重複頻率,以及可透過雷射光源的提高來進行更好調節等特性,”他表示。

該公司表示,透過和晶片製造商的直接合作,將EUV技術導入晶圓廠試產線,將加快該技術的成熟腳步,為邁入更小製程節點的晶圓製造提供避免昂貴雙重曝光步驟的方案。 (鄧榮惠)





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