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NS直接射頻取樣ADC提升無線電架構效能

上網時間: 2011年07月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:射頻  ADC  IMD3  ADC12Dxx00RF  ADC12D1800RF 

美國國家半導體公司(National Semiconductor)宣佈推出一系列首款可對超過2.7GHz射頻訊號直接取樣的類比數位轉換器(ADC),其三階互調失真(IMD3)可高達-71dBc,而取樣速度也高達3.6GSPS。該ADC系列在輸入頻率2.7GHz的效能可大幅降低 3G / 4G 基地台、軍事和 SDR 應用的電路板尺寸與元件數量。

ADC12Dxx00RF 系列包括五個12位元類比數位轉換器(ADC),有助於系統設計人員省去多個中頻(IF)下變頻段,包括放大器、混頻器和濾波器。使用一個 ADC12Dxx00RF 就可取代整個無線電信號路徑子系統,因此可大幅降低 3G / 4G 無線基地台、微波回傳傳輸系統、軍事和寬頻軟體無線電(SDR)應用物料清單(BOM)成本,並縮減電路板尺寸和重量。

美國國家半導體領先業界的 GSPS ADC 系列加入接腳相容的 ADC12Dxx00RF ADC 產品後,可以提供每秒500百萬次取樣(MSPS)至3.6GSPS的簡單升級路徑。 ADC12D1800RF 晶片的交錯式單通道取樣率高達3.6GSPS,雙通道取樣速度則高達1.8GSPS,在2.7GHz條件下 IMD3 為-64dBc。 ADC12D1600RF 晶片的交錯式單通道取樣率高達3.2GSPS,雙通道取樣速度則高達1.6GSPS,在2.7GHz條件下 IMD3 為-70 dBc。

此外, ADC12D1000RF 晶片的交錯式單通道取樣率高達2.0GSPS,雙通道取樣速度則高達1.0GSPS,在2.7GHz條件下 IMD3 為-69dBc。 ADC12D800RF 晶片的交錯式單通道取樣率高達1.6GSPS,雙通道取樣速度則高達800MSPS,在2.7GHz條件下 IMD3 為-71dBc。 ADC12D500RF 晶片的交錯式單通道取樣率高達1.0GSPS,雙通道取樣速度則高達500MSPS,在2.7GHz條件下 IMD3 為-69dBc。

這些直接射頻取樣 ADC 涵蓋所有頻率的優異線性效能可以為其他元件帶來更多的系統餘量,以降低其效能要求,同時節省更多的成本和設計時間。為建構完整的訊號路徑解決方案, ADC12Dxx00RF ADC 可與美國國家半導體的雙通道、數位控制可變增益放大器(DVGA)或 LMH6554 全差動放大器,以及 LMX2541 頻率合成器或美國國家半導體 LMK04800 時脈抖動消除器其中一款搭配使用。

美國國家半導體這五款12位元射頻取樣類比數位轉換器現已上市,都採用接腳相容的耐熱增強型292焊點BGA封裝。





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