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RFMD晶圓代工部門新增兩項pHEMT製程服務

上網時間: 2011年07月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaAs  pHEMT  晶圓代工  FD25  FET1H 

RF Micro Devices, Inc. (RFMD) 宣佈,其晶圓代工服務部門擴大製程技術服務,新增兩項砷化鎵(GaAs)製程技術: RFMD 的 FD25 低雜訊 pHEMT 製程和 RFMD 的 FET1H 切換 pHEMT 製程。這兩項額外的 GaAs pHEMT 製程技術可立即提供晶圓代工客戶服務。

RFMD的0.25-micron FD25 pHEMT製程技術提供了低雜訊、中間功率及高線性度,以用於包括低雜訊前端和發射器MMIC。 RFMD的0.6-micron FET1H pHEMT製程技術提供低雜訊和高線性射頻訊號切換,以應用於無線前端、傳輸 /接收模組和相位式陣列。

這兩項新製程技術補足了 RFMD現有的0.3-micron FD30 pHEMT製程技術,其已於2010年提供晶圓代工客戶服務,應用範圍包括X頻段相位式陣列功率放大器和8-16 GHz寬頻軍事電子戰干擾機。

RFMD表示,全球的無線通訊、航太和國防,以及雷達 /雷達干擾機市場持續迅速成長,其主要驅動力為要求透過領導級半導體技術而達到更高整合度的終端應用。這驅使半導體製造商開發和提供世界一流的技術,並提供更具彈性的高效能。

RFMD的低雜訊FD25和高線性開關 FET1H技術,以及 RFMD的現有 FD30 0.3μm功率製程技術,讓客戶能夠設計和製造先進元件,以符合廣泛的應用需求。





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