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旺宏盧志遠獲2012年「IEEE Frederik Philips Award」

上網時間: 2011年07月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IEEE  Frederik Philips Award  記憶體  半導體  DRAM 

旺宏電子(MXIC)宣佈,總經理盧志遠已獲選為2012年國際電機電子工程師學會「IEEE Frederik Philips Award」得主。這個獎項素有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱,而盧志遠也是兩岸三地首位獲得此一獎項的科學家。

IEEE Frederik Philips Award為國際知名獎項,由荷蘭飛利浦公司於1971年創立,主要是表彰在電機電子領域之研發管理及創新研究作出傑出貢獻者。自成立以來已頒予42位得主或機構,歷年獲獎人包括曾擔任五任美國總統科技顧問的Bell Labs總裁WILLIAM O. BAKER(1972)及ARUN N. NETRAVALI (2001)、摩爾定律發明人、Intel公司創始人Gordon Moore(1979)、比利時微電子研究中心IMEC創辦人ROGER J. VAN OVERSTRAETEN(1999)、IBM全球研發總負責人John Kelly(2010)等。

盧志遠表示,此次獲獎是一項極大的榮譽,是旺宏團隊共同努力的成果,很高興浸淫半導體產業三十餘年來,能幸運地將興趣與工作結合,持續發揮所長,也非常感謝在每一段過程中曾經合作的伙伴,未來將繼續秉持對創新科技的研究熱忱,提昇旺宏在非揮發性記憶體的研發技術與製造能力,以對高科技產業持續作出貢獻。

盧志遠早於1980年代中期於美國Bell Labs領導研究計畫時,即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術,為當時業界最高伏技術,1987年,他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文─Variable Hold (Retention) Time phenomenon in DRAM,促使業者大幅提升DRAM可靠度,之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術,部份技術理論迄今仍被廣泛引用,讓今日的半導體產業得以蓬勃發展。

盧志遠於1989年獲李國鼎資政及當時工研院董事長張忠謀之邀回台出任工研院電子所副所長,之後主持「經濟部次微米計畫」,完成台灣DRAM技術的獨立研發及量產,不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力,更進而奠定了在全球半導體產業鏈的重要地位,其卓越貢獻因此獲頒「行政院傑出科技人才獎」。次微米計畫於1994年衍生成立世界先進公司,盧志遠當時為世界先進共同創辦人,成為催化台灣DRAM產業的重要推手。

1999年,盧志遠加入旺宏電子,帶領旺宏進行前瞻記憶體技術研發,並與世界級高科技大廠如IBM及英飛凌建立長期而互惠的策略伙伴關係。近年來旺宏所擁有的高品質國際專利超過4200項,發表的先驅技術論文持續入選IEDM、ISSCC、VLSI、SSDM等多項國際知名學術會議,篇數在全世界之業界、學界中皆屬名列前茅。以2010年為例,旺宏的3D NAND Flash創新研究,即獲得全球IC整合技術界最重要國際會議VLSI評選為2010年重要焦點論文,為台灣唯一論文獲評為焦點論文的公司。

發明浮閘非揮發性記憶體(Floating-gate Nonvolatile Memory)的半導體巨擘、中央研究院院士施敏表示:「盧志遠早期發表之CMOS先進技術,其後帶領工研院團隊研發次微米技術並使之量產,以及近年來在非揮發性記憶體先進技術的研發,皆顯示他在世界學術界尖端研究建立了崇高之地位,以及在應用科學方面之優越成就。他對深耕本土高科技技術及提昇尖端研發能量貢獻良多,堪稱台灣應用科學領域之翹首。」

盧志遠個人擁有超過360篇論文及140餘項國際專利。他獲任美國電機電子學會 (IEEE) 院士、美國物理學會 (APS) 院士及中華民國科技管理學會院士。2000年IEEE頒發「千禧傑出獎章」(Millennium Medal),即是高度肯定他對於經濟及社會的重要貢獻。同時,盧志遠也榮獲經濟部專利發明獎及最佳專案獎、潘文淵文教基金會研究傑出獎以及獲選為交大及台大傑出校友等多項榮耀。此外,他曾擔任 IEEE Transactions on Electron Devices編輯長達15年及「科學月刊」社長。





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