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功率技術/新能源  

恩智浦新款電源管理元件封裝面積僅2 x 2mm

上網時間: 2011年08月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DFN2020-6  VCEsat  電晶體  MOSFET  PBSM5240PF 

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)宣佈推出採用 DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和 N-channel Trench MOSFET 產品── PBSM5240PF 。由於 DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑膠封裝面積僅2 x 2 mm,高度為0.65 mm,因此新元件能滿足行動設備等高性能消費產品的微型化趨勢。

作為業界首款整合低 VCE (sat) BISS 電晶體和 Trench MOSFET 的二合一型產品, PBSM5240PF 不但可節省PCB板空間,同時具備出色的性能。

傳統的小訊號電晶體 (BISS)/MOSFET解決方案通常需採用兩個封裝,相較之下 PBSM5240PF 可減少超過50%的電路板佔用面積,同時使封裝高度降低10%以上。此外, DFN2020-6 (SOT1118) 封裝亦整合一個散熱器,使散熱性能提升25%,進而可支援高達2A的電流,並達成較低的功耗。

PBSM5240PF可做為可攜式電池充電電路的一部分,適用於手機、MP3播放器以及其他可攜式設備。也可應用於需要出色散熱性能、較高電流支援與佔用面積小的負載開關或電池驅動設備中。





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