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功率技術/新能源  

EPC推出第2代200V及100mΩ功率電晶體

上網時間: 2011年08月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:功率電晶體  氮化鎵  eGaN  EPC2012  RoHS 

宜普電源轉換公司(EPC)日前宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)系列中的最新成員—— EPC2012 ,新的200V及100mΩ功率電晶體 EPC2012 具有環保特性、無鉛、無鹵化物,並符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。

EPC2012 FET 是一款面積為1.6平方毫米的200VDS元件,RDS(ON)最大值是100mΩ,閘極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN元件明顯更高的性能優勢。EPC2012的脈衝額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在較低閘極電壓時,其性能得以全面增強,而且由於提高了QGD/QGS比率,EPC2012還具有優異的dv/dt抗干擾性能。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2012體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音訊放大器、硬開關和高頻電路。





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