Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 介面技術
 
 
介面技術  

LSI單晶片12Gb/s SAS RAID控制器IOPS效能破百萬

上網時間: 2011年09月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SAS  RAID  PCIe  固態硬碟  SSD 

LSI公司(NYSE:LSI)日前推出新一代12Gb/s SAS RAID 單晶片(ROC)技術,最新開發的單晶片8埠12Gb/s SAS 可連接至8顆6Gb/s Seagate SAS 2.5 英吋硬碟,在 PCI Express 2.0 直連式儲存之架構下,運行小型模組連續讀取/寫入作業時,效能可超過 100萬IOPS(Input/Output Operations Per Second,每秒輸入輸出運轉次數)。

透過整合SAS和PCI Express最新增強技術,以及創新的 LSI 硬體加速引擎,LSI SAS ROC 能夠為企業級固態硬碟(SSD)和符合即將推出的PCI Express 3.0規格的伺服器平台提供所需的I/O效能,以充分發揮其效能優勢。

相較於上一代 6GB/s SAS單晶片,以LSI第四代SAS架構為基礎的12Gb/s SAS單晶片在IOPS效能方面提升57%,I/O傳輸量亦提高45%。若採用上一代產品來達到100萬IOPS效能,則需搭配多片SAS單晶片和12顆硬碟,導致硬體採購成本更高,並提高功耗、冷卻系統和空間等需求。將12Gb/s SAS ROC整合至新一代 PCI Express 3.0系統,可望提供更高的效能水準。

LSI表示,12Gb/s SAS市場推廣將從單獨SAS元件和設備的推出開始,隨後,OEM廠商將量產符合12Gb/s SAS規格的伺服器和外部儲存系統,此舉對於12Gb/s SAS的普及注入新的動力。採用12Gb/s SAS的伺服器預計於 2013年年初量產,隨後在2013年下半年,外部儲存系統也將隨之量產。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - LSI單晶片12Gb/s SAS RAID控制器IOPS效...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首