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力旺電子與宏力半導體擴大雙方於eNVM開發之合作

上網時間: 2011年10月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:力旺電子  宏力半導體  嵌入式非揮發性記憶體  eNVM  合作 

嵌入式非揮發性記憶體(embedded non-volatile memory,eNVM)供應商力旺電子(eMemory)與晶圓代工業者宏力半導體共同宣佈,雙方將透過共享資源設計平台進一步擴大合作範圍,發展多元嵌入式非揮發性記憶體解決方案。

力旺電子開發之單次可程式 OTP (NeoBit)與多次可程式 MTP (NeoFlash/NeoEE)等eNVM技術,將全面導入宏力半導體之製程平台,宏力半導體並將投入 OTP 與MTP IP之設計服務,以提供客戶全功能之嵌入式非揮發性記憶體解決方案,將可藉由低成本、高效能之優勢,嘉惠微控制器(MCU)與消費性電子客戶,共同開發全球市場。

宏力半導體與力旺電子自2005年起即於OTP製程平台展開合作,近期雙方成功推出之0.18微米3.3V/5V 低成本、高效能OTP製程平台已有數十項產品相繼投入量產。此次擴展合作範圍,除包括原有之OTP製程平台,更擴大導入至MTP領域,預計將能以更完整之嵌入式非揮發性記憶體製程平台,強化技術服務支援廣度,滿足更多不同客戶需求。

目前宏力半導體與力旺電子合作之 0.18微米邏輯與高電壓OTP製程平台已完成建置,並進入量產階段多年; 0.13微米OTP製程平台預計於2011年底通過可靠度驗證;0.18微米之MTP製程平台則預計於2012年Q1通過可靠度驗證,屆時將可提供更加豐富的嵌入式非揮發性記憶體矽智財,進而使應用產品端客戶進一步受惠。





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