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安捷倫與NXP展示高功率LDMOS電晶體特性描述方案

上網時間: 2011年11月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:網路分析儀  NVNA  PNA-X  ISM  LDMOS 

安捷倫科技(Agilent Technologies Inc.)與恩智浦半導體(NXP Semiconductor)共同宣佈,將針對安捷倫的非線性向量網路分析儀(NVNA)提供現場展示。該 NVNA 必須在安捷倫的 PNA-X 系列網路分析儀上執行,在這次的展示中用於為NXP專為2.45GHz ISM 頻帶應用而設計的高功率 LDMOS 電晶體進行特性描述

基於 NVNA 的基本訊號源和負載拉移系統,可以在2,400到2,500MHz的頻帶內,分析NXP的250W射頻功率元件。該量測系統可在基本頻率和諧波頻率下進行非線性行為的特性描述,並提供強大的X參數模擬能力。搭配被動調諧器(passive tuner)使用,則可量測10MHz到67GHz的頻率範圍。

展示時,將會使用NXP的 BLF2425M7L250P 電晶體作為待測元件(DUT)。這款採用 Si-LDMOS 技術的第七代產品,是特別為2.45GHz ISM頻帶應用而設計。它將峰值功率位準提高到250W以上,並提供大於16dB的增益和高於50%的汲取效率(drain efficiency)。如同NXP其他的射頻功率元件一樣, BLF2425M7L250P 也具備絕佳的耐用性,這對於通常會使用笨重的射頻負載之 ISM 應用空間來說,是最重要的一項特性。

安捷倫即將以NXP的 BLF2425M7L250P 電晶體來展示旗下產品的活動,乃是雙方合作進行 Eureka / CATRENE CA101 PANAMA 計劃的結果。安捷倫與NXP表示,這項成果並得力於 Flanders (IWT)和荷蘭國家基金會的大力支援。





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