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Diodes新型P通道MOSFET以精密封裝提高效率

上網時間: 2011年11月30日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  DMP1245UFCL  DFN1616  ESD  封裝 

Diodes公司推出12V微型P通道強化型 MOSFET ── DMP1245UFCL ,有助於提升電池效率和減少電路板空間,並滿足空間受限的可攜式產品設計要求,如智慧型手機和平板電腦等。

這款新的 MOSFET 採用超精密和高熱效率的 DFN1616 封裝,並具有極低的導通電阻(RDS(on)) ,能把傳導損耗降至最低,以延長電池壽命。例如在 VGS 為4.5V的條件下,該 MOSFET 的導通電阻只有29mΩ,比最接近的競爭對手產品的導通電阻性能還要提升15%,有利於電源中斷及一般負載開關的應用。

DFN1616 的標準離板高度為0.5毫米,比對手的產品薄20%,並只佔2.56平方毫米的PCB面積,比競爭對手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節省55%的空間。

同時, DMP1245UFCL 為用戶提供防靜電放電(ESD)的增強保護。這款 MOSFET 的額定閘極保護為3kV,比同類產品高出50%,因此對人為產生的靜電放電所造成的影響有很強的抵禦作用。





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