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星曜半導體針對USB 3.0介面提供最佳靜電保護方案

上網時間: 2011年12月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:USB 3.0  靜電保護  VESD05CF10AA  阻抗匹配  介面 

星曜半導體(Valorstar Semiconductor)新增 USB 3.0系列靜電保護解決方案,提供符合 USB3.0 標準的6通道超低電容靜電保護陣列元件 VESD05CF10AA ,並採用單一晶片架構以降低阻抗匹配,為 USB3.0 Super speed 傳輸介面提供最佳靜電保護。

USB 3.0是USB 3.0 Promoter Group於2008年11月所發佈的。目的在開發速度超過目前10倍的超高速USB互連技術。應用領域包括個人電腦、消費及手持式產品的快速同步即時傳輸,以符合與日俱增的高畫質、大容量儲存需求。此外, USB2.0 和 USB3.0 資料線置入同一連接器中,加上 USB 控制晶片本身的體積縮小,對靜電將會更加敏感。

USB3.0 傳輸速率較 USB 2.0 更高十倍以上,必須採用先進製程,但製程越先進相對對於靜電(ESD)的耐受能力也隨之降低。在選用保護元件時,由於 USB 3.0 其高速傳輸的速度大都用來傳遞資料,對訊號完整性會有嚴格的要求,較高的訊號完整度有助於實現很低的訊號誤判率。

針對用於USB3.0的靜電保護元件,星曜半導體(Valorstar Semiconductor)開發出低電容靜電保護陣列元件 VESD05CF10AA ,可同時符合寄生電容器極小化、靜電承受能力、低鉗位電壓與阻抗匹配等特性。

USB3.0提供最高5Gbps的資料率,基頻高達2.5GHz。為了實現高訊號完整性,資料訊號的上升時間和下降時間必須非常短,對於諧波的處理不應發生明顯衰減。保護元件寄生電容器必須小於1.0pF。此外,該靜電保護元件對於靜電之耐受能力高,可承受至少IEC 61000-4-2等級四接觸模式8KV。

此外,在電路板佈局上,接近90歐姆的差分阻抗保證USB高速傳輸訊號的完整性,對於額外加上的保護元件,為減低阻抗之不匹配性,晶片結構盡量以高整合度及單一晶粒為主。星曜半導體的保護元件開發採用單一晶片結構,可避免此一狀況,加上PCB版走線採直通式設計,不但便於走線設計,也可降影響 USB 3.0 的訊號品質。





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