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集邦:2012年DRAM市場發展將有重大變革

上網時間: 2012年01月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:DRAM  獲利關鍵  製程  產能  集邦科技 

根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調查, 2012年1月上旬 DRAM 合約價仍以持平價位開出, DDR3 4GB均價固守16.5美元, DDR3 2GB均價則維持在9.25美元,但整體成交量已從低價區漸漸轉向平均價格移動。

除了減產效應於第一季正式發酵,目前合約價格仍屬歷史低價,部份 PC OEM 廠已緩步拉高庫存水位,並開始接受較高價格的合約價;加上硬碟短缺問題在第一季陸續獲得紓解,PC出貨將在2月後將回復正常。集邦科技認為,只要DRAM廠不要因短期顆粒價格上漲而貿進將產能恢復,預估今年DRAM價格在2月後起漲可能性高。

在現貨市場方面,雖然 DDR3 2Gb現貨價格自 2011年12月初0.72美元起漲至今來到0.97美元,不光顆粒價格逼近金1美元價位,漲幅亦高達35%,但現貨市場規模逐漸萎縮卻是不爭的事實,其中不外乎筆電已搭載足量的記憶體,近幾年升級市場的衰退亦是其中主因,現貨市場產值從早期2004年約囊括整體 DRAM 市場的50%,大幅衰退至2011年的15%左右。平心而論,現貨價格對於DRAM市場仍具影響力,對於合約價格上漲也有一定助力。

綜觀整體DRAM市場的獲利關鍵,幾乎都是來自於產能的擴充與製程不斷的再精進,集邦科技表示,從早期的90nm、65nm製程至今已來到30nm、甚至20nm製程,製程的微縮雖使成本持續下降,但同時伴隨著是顆粒數的高成長,加上近年PC出貨年成長大幅趨緩,記憶體搭載容量亦失成長動能,DRAM產業因需求力道不再強勁,獲利難度越來越高。

集邦科技預估,2012年DRAM市場的發展將會產生重大的變革;首先,DRAM產能的擴充將漸趨理性,加上轉進20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買 EUV 等先進機台,即使龍頭三星半導體(Samsung)亦不得不在製程精進上放慢腳步。因此集邦科技預估,今年整體DRAM的年供給位元成長率僅有22%,較前數年動輒50%的年成長已大幅趨緩。

不幸的是,供給位元的減緩並不足以代表整體DRAM產業供過於求的頹勢獲得即時紓解,而是代表各DRAM廠獲利的關鍵必須轉向核心技術開發能力再作競爭,例如隨著智慧型手機與平板電腦的興起,帶動行動式記憶體的需求,如已在2011年第四季成為行動式記憶體出貨主流LPDDR2,或者是2012下半年即將量產的LPDDR3,甚至是Wide-IO與LPDDR4,能夠擁有核心技術的DRAM廠便是獲利贏家。

同時,雲端需求的興起亦使原本深耕於伺服器記憶體的DRAM廠獲益,DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個獲利指標。集邦科技表示,甚至在標準型DRAM上,今年亦有許多產品以DDR3為基礎上再進化,如著眼於 Ultrabook 的興起,為了精進省電效能以延長使用時效,廠商已開發出低電壓版的DDR3L,在省電機制的強化上亦發展出DDR3M的產品,甚至有廠商有考慮將GDDR導入標準型記憶體中,在繪圖上與遊戲上可以有比標準型記憶體更佳的表現。

集邦科技預期, DRAM 廠在後續的獲利競賽仍有一番激烈競逐,落後者勢必逐漸將產能退出,唯擁有核心技術力的DRAM廠才有機會在後續市場中持續獲利與生存。





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