Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

宜特突破IC電路除錯技術 實現28奈米最小線寬修改

上網時間: 2012年02月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:28奈米  IC  最小線寬  FIB  DFM 

宜特科技(Innovative Service Technology;IST)宣佈,該公司從2010年開始佈局的28奈米IC電路除錯技術已於近日突破技術門檻,不僅能為客戶實現難度極高的28奈米最小線寬修改,並使其電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。

看好28奈米製程可帶來更高效能、低功耗以及尺寸更輕薄短小的IC產品,業界大廠業界大廠紛紛導入。台積電在2011底率先量產28奈米製程產品,並預估今年28奈米製程產品將達到整體營收的10%。聯電近期也傳出接獲數間大廠的28奈米訂單,進入試產階段。緊追在後的三星電子及格羅方德(Global foundries),也各自有其在先進製程上的佈局。

不過,28奈米製程亦有技術上的挑戰。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經理崔革文表示,28奈米在設計與佈局上的複雜度大幅升高,並且很難有一套通用的可製造性設計(DFM)模型來確保設計與佈局的正確性,將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版,增加時間成本與金錢成本的負擔,一套28奈米光罩要價近2億台幣,是40奈米的好幾倍,往來重新下光罩亦需一個多月。因此,許多業者採 FIB (Focused ion beam,聚焦離子束)線路修改技術,藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。

宜特科技從2010年起展開28奈米IC線路修改的研究與佈局,針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試,並從極小間距中,研究如何設定正確參數將訊號引出,還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利),克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真,目前在各個環節上均已完成驗證,技術能量已可滿足目前所有先進製程產品的除錯與驗證需求。

除了擁有技術外,宜特也在這兩年建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室,除了一般的 Front-side FIB 技術外,亦可支援 Back-side FIB 線路修改技術。

Back-side FIB是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改,該相關技術近年來受到高度矚目,其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數都特別高的28奈米製程上,由於需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式,宜特預期使用 Back-side FIB 線路修改將成為未來主流。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 宜特突破IC電路除錯技術 實現28奈米最...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首