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瑞薩超小型功率MOSFET為可攜式裝置提供高能效

上網時間: 2012年04月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  uPA2600  uPA2601  uPA2630  uPA2690 

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣佈推出專為智慧型手機與平板電腦等可攜式電子產品所設計之八款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品,包括20V (VDSS) uPA2600 與30V uPA2601,皆具備先進的低損耗(低導通電阻)效能,並採用超小型2mm x 2mm封裝,可為小型行動裝置提供更高的能源效率及小型化。

隨著高功能性智慧型手機大受歡迎,以及使用者對於這些手持裝置無縫體驗的使用期待,市場對於外形尺寸更短小輕薄、耗電量更低以提供更長電池使用時間的需求持續升高。為符合上述需求,研發人員轉而尋求具備更低導通電阻的功率 MOSFET ,以應用於大電流之充電/放電控制、RF功率放大器開/關控制,以及過電流截斷開關。

新款 uPA2600 與 uPA2601 MOSFET 能使可攜式裝置更加小型化並提供先進的低導通電阻,同時在多種應用中縮小安裝面積,包括負載開關(開啟或關閉供應至IC的電源)、可攜式裝置中的充電/放電控制,以及 RF 功率放大器(高頻率訊號放大器)中的開/關控制與過電流截斷開關。

新款 uPA2600 與 uPA2601 MOSFET 的主要特色是採用2mm x 2mm超小型封裝。20V (VDSS) uPA2600 裝置可達到9.3mΩ(VGSS=4.5V時的典型值),30V uPA2601 裝置可達到10.5mΩ(VGSS=10V時的典型值),可為終端產品提供省電效果。此新款功率MOSFET為環保產品,符合RoHS,並且不含鹵素。

此外,瑞薩將大區域高效能晶片放入迷你封裝,因此能夠採用2mm x 2mm的超小型封裝,並使用裸露的散熱迷你封裝,有效地將封裝的熱能透過載板散發。相較於現有3mm x 2mm封裝, uPA2600 與類似的產品大約可減少30%的安裝面積,而相較於現有3mm x 3mm封裝, uPA2672 與類似的產品則大約可減少40%的安裝面積。可大幅降低終端產品的尺寸與重量。

此新款P通道與N通道功率 MOSFET 共有八款產品,主要以可攜式裝置常見的12V與30V範圍為主:包括 uPA2630 在內的4款P通道產品、含 uPA2600 在內的3款N通道產品,以及在單一封裝內同時包含N通道與P通道裝置的 uPA2690。因此,此系列產品可支援多種應用,包括充電/放電控制、RF功率放大器開/關控制及過電流截斷開關。

瑞薩電子新功率 MOSFET - uPA2600與 uPA2601 自2012年4月起供應樣品。量產時程預定為2012年5月,並預估此八款新產品至2013上半會計年度將可達到合計每月3百萬顆的產能。





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