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英特爾高層:無晶圓廠經營模式快不行了

上網時間: 2012年04月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  無晶圓廠  晶圓代工  3D電晶體  台積電 

英特爾(Intel)負責製程技術部門的高層Mark Bohr指出,無晶圓廠(fabless)半導體業經營模式已經快到窮途末路。他認為,台積電(TSMC)最近宣佈只會提供一種20奈米製程,就是一種承認失敗的表示;而且該晶圓代工大廠顯然無法在下一個主流製程節點提供如 3D電晶體所需的減少洩漏電流技術。

「高通(Qualcomm)不能使用那種(22奈米)製程技術;」Bohr在日前於美國舉行的 Ivy Bridge 處理器發表會上宣布,該新款處理器是採用英特爾三閘22奈米製程生產。他在會後即興談話中對筆者表示:「晶圓代工模式正在崩壞。」

當然,英特爾會想讓這個世界相信,只有他們能創造世界所需的複雜半導體技術,而為其競爭對手高通、AMD代工的台積電與GlobalFoundries都不能。在Ivy Bridge處理器發表會上,英特爾所述說的公司成功故事,其秘訣之一就是來自於製程技術與晶片設計者之間的緊密關係。

英特爾客戶端PC事業群新任總經理Kirk Skaugen在發表會上與Bohr、還有Ivy Bridge專案經理Brad Heaney一同主持問答時間;這款處理器除了首度採用3D電晶體架構,也是英特爾第一次以High-K金屬閘極製程製造的產品。「做為一家整合元件製造廠(IDM),確實有助於我們解決生產這樣一款小尺寸、複雜元件時所遭遇的問題。」Bohr表示。

在當下我沒有質疑他的說法。自從進入次微米製程時代,EETimes美國版就有不少文章談到晶片設計業者與製程技術提供者之間,需要有更緊密的合作關係;一位來自Nvidia的實體設計部門高層也在最近Mentor Graphics的年度會議上,強調了相同的論點。

不過,Bohr在指稱晶圓代工廠與無晶圓廠晶片設計業者無法追隨英特爾的腳步時,似乎是過度延伸了該論點。筆者聽過台積電與GlobalFoundries的研發主管提出很好的例子,證明3D電晶體架構在14奈米製程節點之前並非必要;台積電並曾表示,20奈米節點並沒有足夠的迴旋空間可創造高性能製程其低耗電製程之間的明顯變化。

我忘了問Bohr英特爾是否已在22奈米節點將高性能製程(high performance)與低耗電(low power)製程做分別,不過他在問答時間表示,英特爾已經完成了一個特別針對SoC元件生產的製程技術版本,該公司計劃在每個主流製程技術完成後,進一步於一季或是兩季之後推出該SoC版本的變形。

對於台積電的20奈米製程計畫,高通不會發表評論;但高通確實在最近財務季報發表會上表示,該公司無法向台積電取得足夠的28奈米製程產能以因應市場需求,因此正尋求多個新代工來源,並預期能在今年稍晚正式上線。

這對GlobalFoundries、聯電(UMC)等其他代工廠來說是個好機會;不過Bohr認為,由於生產28奈米SoC需要在設計細節上有更緊密的交流,對高通來說,與同樣有生產手機SoC (Exynos)的競爭對手三星(Samsung)的代工夥伴合作,其風險會大過於任何機會。

筆者詢問Bohr,英特爾除了提供22奈米製程給兩家已公開的夥伴Achronix 與 Netronome之外,是否還有其他的合作對象;但他只回答,英特爾並不想涉足晶圓代工業務,只是讓少數幾家策略夥伴取得其技術。

英特爾可能沒辦法獨佔聰明的製程工程師或設計工程師,但顯然擁有一些傑出的員工,已學會如何巧妙地自我行銷;Bohr與Heaney就現身於發表會上放映的搞笑視訊,影片中,他們兩個被微縮,進入一顆Ivy Bridge晶片遊歷。

展望未來,Bohr表示英特爾已經使用浸潤式微影技術,完成下一代14奈米節點製程的特性描述;其成果不只是「令人振奮」,也意味著該公司可望將浸潤式微影技術運用到仍在初期計畫階段的10奈米節點:「我們認為已經找到在10奈米節點運用浸潤式微影技術的解決方案──我們也很樂意使用超紫外光(EUV)微影技術,但不抱太大期望。」

接著筆者又問道,英特爾是否會在14與10奈米節點擁有一些像是3D電晶體這樣的新花招,他簡單回答:「是。」…當一家公司讚揚其高階工程師並提供與他們接觸的機會時,真的是很不錯,但我實在是很不愛看到這些人被一家公司的公關部門「訓練有素」的模樣。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Intel exec says fabless model “collapsing”,by Rick Merritt)





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