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KLA-Tencor推出全新CIRCL Suite缺陷檢測系統

上網時間: 2012年05月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:CIRCL Suite  出貨品質控制  製程模組  晶圓  DirectedSampling 

KLA-Tencor Corporation日前推出全新的高產能缺陷檢測╱測量╱複查系統── CIRCL Suite 。新工具專為微影作業、出貨品質控制 (OQC) 及其他製程模組而設計,不僅能監控晶圓的正面、背面及邊緣缺陷,同時還能測量晶圓邊緣輪廓、晶邊清除同心性和巨觀疊對誤差。

該工具的資料收集採用創新的 DirectedSampling 控制方法,可以根據需要,利用一次測量的結果觸發組合工具內其他類型的測量。

KLA-Tencor SWIFT 部門總經理 Oreste Donzella 表示,實現高端記憶體與邏輯裝置的良率及效能目標需要對爆炸性數量的製程參數進行非常嚴密的監控。新的 CIRCL Suite 同時兼顧所有晶圓表面,以極具成本效率的方式進行最恰當的組合測量。我們認為,CIRCL 的優勢在於能夠同時運用多種缺陷檢查、測量與複查技術,協助客戶在發生偏移時找出並解決偏移問題。

CIRCL Suite 結合了經業界證明的新世代 LDS 晶圓正面巨觀缺陷檢測模組;一個基於 KLA-Tencor 旗艦 VisEdgeTM 技術的新型模組化邊緣檢測、晶邊輪廓描繪與測量模組;一個專用晶圓背面檢測模組;以及一個靈活的光學缺陷複查與分類模組。這套 CIRCL 組合工具能夠為滿足某個晶圓廠的特定製程控制需要進行模組化結構調整。它的模組化結構減少了佇列時間和晶圓廠空間,並在設計上允許根據應用需要進行模組化升級以符合經濟效益,無論是現在還是在平台的壽命週期內,都能達到良好的投資回報績效。

CIRCL Suite 可協助晶圓廠工程師解決多種良率和效能問題,包括:

1. 對晶圓正面多種類型的巨觀缺陷進行檢測與分類,從微粒污染到跨越多個晶粒的失焦缺陷,到全晶圓缺陷,例如光阻缺失;

2. 較低百分比的非關鍵缺陷,讓工程師能迅速且精準地處理生產材料;

3. 光罩 ID 檢查,以驗證使用正確的光罩進行曝光生產;

4. 巨觀疊對誤差監控,以檢查層與層相對的圖案對準;

5. 檢測晶圓背面的缺陷,這些地方的微粒與刮傷有可能影響在晶圓正面微影曝光的圖案線寬;

6. 晶邊缺陷的檢測與分類,這些缺陷會遷移到晶粒區,導致良率降低;

7. 晶邊去除 (EBR) 測量,用於監控薄膜的同心性和邊緣完整性,以避免可能發生的剝落缺陷;

8. 校準自動邊緣輪廓測量,以識別在浸沒微影期間會導致水珠洩露或薄膜分層的偏移;

9. 晶圓正面和邊緣缺陷的自動高解析度光學缺陷複查與分類,協助工程師迅速找到缺陷來源。

這些構成 CIRCL Suite的模組能夠與其他 CIRCL 工具中的類似模組搭配使用,以促進正在進行工作的靈活選擇,並提升基線穩定性。為了保持高效能和高產能,CIRCL 組合工具由 KLA-Tencor 的全球綜合服務網路提供支援。





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