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英飛凌CoolSiC 1200V SiC JFET推升太陽能逆變器效率

上網時間: 2012年05月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:CoolSiC  JFET  SiC  太陽能  逆變器 

英飛凌科技(Infineon Technologies AG)日前推出新款 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列,強化了該公司的碳化矽(SiC)產品線。據表示,新元件融合了英飛凌在 SiC 技術領域超過十年的研發經驗,具備高品質、可大量生產的特點,能大幅提升升太陽能逆變器效率。

相較於 IGBT,全新的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 大幅降低切換耗損,可應用更高的切換頻率,不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件,進一步縮小整體解決方案的體積與重量,並降低系統成本。換句話說,該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。

為確保恆開的 JFET 技術的安全性及使用方便性,英飛凌開發了一項名為直驅技術 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 應用的這個概念結合了外部的低電壓 MOSFET 及專用的驅動 IC,確保系統能安全開啟,而且能在安全且受控制的情況下切換。

CoolSiC JFET 採用單片整合二極體,切換效能與外接式的 SiC Schottky 二極體不相上下,此一搭配組合能讓效率、可靠性、安全性及使用方便性達到顛峰。CoolSiCTM JFET 產品及驅動 IC 將從 2012 年第二季開始提供樣品。第一批 OEM 量產預計於 2013 年上半年開始。





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