Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

旺宏4篇論文入選VLSI研討會 居台灣之冠

上網時間: 2012年06月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:旺宏  VLSI  IEEE  論文  記憶體 

全球超大型積體電路技術及電路國際會議( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)於6月12日至15日於美國夏威夷揭幕。旺宏電子(MXIC)今年共有四篇論文入選VLSI 技術會議(VLSI Technology),篇數不但居台灣之冠,在全球入選的20餘篇記憶體相關論文中,也是發表篇數最多者。旺宏的論文主題涵蓋 3D NAND Flash 、電阻式記憶體(ReRAM) 及相變化記憶體(Phase Chang Memory)等目前最前瞻的研究領域,顯示旺宏對次世代先進記憶體關鍵技術的全方位掌握。

另外,VLSI國際會議也於6月12日開幕當晚舉辦了一場大型的研討會(Joint Rump Session)─「Scaling Challenges Beyond 1xnm DRAM and NAND Flash」,特別邀請今年剛獲得 IEEE Frederik Philips Award獎項榮耀的旺宏電子總經理盧志遠擔任與談人,與全球記憶體產業領導廠商美光、Rambus、三星(Samsung)、海力士(Hynux)、東芝(Toshiba)等共同探討DRAM及NAND Flash微縮至10奈米以下所面臨的挑戰及可行的解決方案。

旺宏自2006年起每年在VLSI大會皆有論文發表。今年在VLSI會議上發表的4篇論文,包括新式3D NAND Flash (A Highly Pitch Scalable 3D Vertical Gate (VG) NAND Flash Decoded by a Novel Self-Aligned Independently Controlled Double Gate (IDG) String Select Transistor (SSL))、多層堆疊電阻式記憶體(Multi-Layer Sidewall WOx Resistive Memory Suitable for 3D ReRAM)、採用新材料元件結構電阻式記憶體(A Novel Cross Point One-Resistor (0T1R) Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM) with Ultra Low Set/Reset Operation Current),以及提出以特殊寫入方式避免電阻特性漂移的相變化記憶體研究(A Simple New Write Scheme for Low Latency Operation of Phase Change Memory)。

VLSI國際會議被視為是展現IC製程整合技術最新成果的櫥窗,與IC產業未來發展最為密切。今年共有600多篇投稿論文,其中VLSI 技術會議為209篇,入選論文79篇,台灣佔8篇,其中旺宏入選4篇、台積電2篇、交通大學及國家奈米實驗室各1篇。而VLSI電路會議(VLSI Circuits)投稿論文數則有400餘篇,發表97篇,其中台灣獲選15篇,分別為聯發科4篇、台積電2篇、台灣大學4篇、交通大學3篇及清華大學2篇。

旺宏表示,該公司近五年來在國際電子元件大會IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting) 每年平均約有5篇論文發表,2011年發表的篇數也是居台灣業界之冠。由於旺宏在先驅記憶體的研發成果深受國際肯定,因此,旺宏的研究同仁也曾分別獲邀擔任IEDM三個分組論文審查委員會評審,今年則再獲邀擔任VLSI國際會議論文審查委員。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 旺宏4篇論文入選VLSI研討會 居台灣之...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首