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因應20nm製程 應材推關鍵離子植入技術

上網時間: 2012年06月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:20nm  電晶體  驗證  Varian VIISta Trident  良率 

應用材料(Applied Materials)日前推出新的 Applied Varian VIISta Trident 系統,這套先進單晶片式高電流離子植入系統可提供精確的植入劑量和角度控制,滿足先進電晶體結構的需求。在嵌入「摻雜物」原子的晶片電性工程中, VIISta Trident 系統是唯一被驗證具有能力達成20奈米高效與節能邏輯晶片製程量產所需良率的高電流離子植入機。

在20奈米製程世代中,如何將摻雜原子活化,並抑制延伸層、源極╱汲極層和接觸層中的晶格瑕疵(crystal defects),已成為在高效能電晶體尺寸微小化過程中的重大挑戰。VIISta Trident系統的獨特功能對於如何精確地控制摻雜原子的濃度和縱深分佈以達成先進元件的高效能、控制漏電流和減少功能變異性的要求具有關鍵性的影響。

應用材料副總裁暨瓦里安事業部總經理Bob Halliday表示:「典型的高級邏輯晶片需要多達 60 道的植入步驟,這包括共同植入技術與高精密度材質調整的應用。我們 VIISta Trident 所具備的高精準度技術對於客戶是否能在最先進的產品製程上快速達到可以獲利的良率水準來說,是一項不可或缺的要素。這個具有指標性意義的效能表現,進一步強化了應用材料在提供我們客戶最先進半導體製程設備的領導地位。現在所有製造 20奈米晶片的晶圓代工廠,都將我們的VIISta Trident 做為首選設備使用。」

Trident系統超凡效能表現的關鍵,是來自於為增強低能量離子植入效能所設計的雙磁鐵偏轉帶狀離子光束的專利架構。此系統的能量純化模組,可完全消除具破壞性的高能量離子物質,也因此避免了電晶體通道受到污染所可能造成的漏電流與效能降低。

另外,可與Trident系統整合的低溫技術可進行低達-100°C 的離子植入製程,而進一步提供了一個優異的解決方案來達成先進元件在電晶體電性一致性上的要求。這在製造晶片內建快取記憶的嵌入式SRAM單元(Cell)時尤為重要,因為SRAM每個單元的組成需要六到八顆電晶體,而這些電晶體必須全部精確而一致的彼此匹配,才能確保每個元件在行動運算所使用的低工作電壓下能可靠地切換操作。





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