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RFMD推GaAs HBT製程之400~2700MHz PA

上網時間: 2012年06月21日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaAs  HBT  RFPA1012  砷化鎵  PA 

RF Micro Devices (RFMD)日前推出新款 RFPA1012 砷化鎵 (GaAs) HBT 線性功率放大器(PA),是專門針對無線基礎設施所設計。透過 GaAs HBT 製程,此高效能單級放大器可達到高IP3/DC 功率比,因此可操作於寬頻範圍。其同樣提供低雜訊指數,因此是2nd 及 3rd 級LNA的最佳解決方案。

RFPA1012提供極高線性度 (OIP3 = 44dBm@900MHz),以及低雜訊特性 (NF = 3.5dB@900MHz)。其他特性還包括:低 DC 功耗 (5V,90mA);可操作在400MHz 至2700MHz頻帶。RFPA1012 9適用於基地台放大器,其Class AB 操作可用於 DCS,PCS,UMTS及WiFi傳輸器應用;而2nd/3rd 級LNA則使其適用於無線基礎設施。





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