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RFMD GaN匹配功率電晶體鎖定脈衝雷達應用

上網時間: 2012年06月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:脈衝  氮化鎵  GaN  RF  RFHA1025 

RF Micro Devices, Inc.(RFMD)發表高效率的280W脈衝氮化鎵(GaN) RF 匹配功率電晶體 RFHA1025 ,可提供比競爭性矽晶功率技術更卓越的效能。

RFMD的 RFHA1025 可搭配日前發表的380W RF3928B ,其為 RFMD 匹配功率電晶體系列的最高輸出功率S頻段元件。 RFMD 正擴大跨頻段的氮化鎵功率放大器電晶體產品組合,以提高其在雷達市場的地位。

RFMD的氮化鎵匹配功率電晶體可延展範圍,減少體積和重量,並為新式和現有的雷達結構提高整體耐用性。 RFHA1025 可作業於廣泛的頻率範圍(0.96-1.2GHz),並提供280W的脈衝功率、>14dB增益和>55%高峰值效率。

此外, RFHA1025 採用內部匹配,以簡化和縮小設計者的電路。 RFHA1025 採用密封、法蘭瓷封裝,利用RFMD先進的散熱片和功耗技術,提供優良的熱穩定性和導電性。 RFMD 的 RF393X 不匹配功率電晶體(UPT)可以用來作為 RFHA1025 的驅動器。

RFMD 將於加拿大Montreal Palais des congress 舉行的IEEE International Microwave Symposium 中展示其 GaN 功率產品。





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