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ROHM推出VF值最低的SiC蕭特基二極體

上網時間: 2012年07月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SiC  碳化矽  蕭特基二極體  SCS210AG  SCS210AM 

半導體製造商ROHM株式會社全新推出順向電壓(VF=1.35V)最低的第二代 SiC (碳化矽:Silicon Carbon)蕭特基二極體 SCS210AG / SCS210AM (600V/10A),適用於太陽能發電系統的功率調節器、業界裝置、伺服器、空調裝置等電源電路。此產品的順向電壓較傳統產品降低10%,因此能大幅降低各種裝置的耗電量。

目前,SiC-SBD雖已界廣泛量產,但其順向電壓等穩定性損耗為1.5V且需採用並聯連接,因此市場上對於降低順向電壓以減少損耗的需求亦日益強烈。此外,當順向電壓降低後,往往會造成逆向漏電流增加,但ROHM藉由製程與元件結構的改善,不但能維持低漏電流,同時還能成功地降低順向電壓。尤其是順向上升電壓較低時,也改善了低負載狀態下的效率。

藉由高速切換效率與低VF等特性,與傳統的Si產品相較下,可大幅降低損耗

除了達成碳化矽SiC所特有的高速切換效率外,同時還能進一步降低順向電壓。

相較於傳統的矽質快速回復二極體,更能大幅降低損耗。

新系列產品中,首先展開量產的是600V-10A型,接下來ROHM將陸續擴充其他系列產品,預定未來幾個月也將開始進行1200V型的量產。製造據點為ROHM Apollo Co., Ltd.(位於日本福岡縣),預定自6月起開始樣品出貨,隨即正式展開量產。





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