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FDSOI支持者擬催生全新晶片生態系統

上網時間: 2012年07月16日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FDSOI  絕緣層上覆矽  英特爾  FinFET  Globalfoundries 

完全耗盡型絕緣層上覆矽(FDSOI)技術的支持者們,最近集結成了一個行動運算應用統一陣線,希望推動該技術成為英特爾(Intel) FinFET 製造方法的另一種可行替代選項。

包括 ARMIBMSoitec 、意法半導體(STMicroelectronics)、代工廠 Globalfoundries ,以及研發機構如CEA-Leti等,都共同在稍早前的 SEMICON West大會上,共同商討 FDSOI 技術的前景。他們強調,為了在日益升高的設計複雜度和成本等挑戰壓力下,再推動新的行動技術發展,業界將需要「協同創新」。“我們比以往任何時刻都更需要同心協力,”IBM半導體研發中心副總裁Gary Patton說。

Patton接著表示,晶片製造商將成為SOI產業聯盟的核心,基本上,這個聯盟的成員集結起來,就像是一個「虛擬IDM」,或是積體電路製造商。

要推動這種新晶片技術獲得成果,半導體供應鏈中的每一個部份都應該出一份力,Globalfoundries設計方案副總裁Subramani Kengeri說。該公司上個月才宣佈與ST展開基於FDSOI技術的28nm和20nm元件合作。

ST技術研究和開發部門副總裁Phillippe Magarshack 認為,要同時提高行動設備性能並降低功耗,正不斷帶來壓力。“合作是最高原則。任何公司都不能僅獨善其身了。”

ST的手機晶片合資企業ST-Ericsson在今年稍早宣佈,將在下一代 NovaThor 行動應用處理器中採用平面 FDSIO 技術。

Magarshack表示,ST下個月就將推出首款採用平面FDSOI技術的28nm晶片,並預計今年底開始出樣。


在 FDSOI 電晶體中,在源極和漏極之間形成的導電通道,被限制在閘極氧化層之下以及 SOI 埋入式氧化層之上的超薄矽晶層中。 / 資料來源:ST-Ericsson

這種低功耗方法的支持者表示,能將智慧手機和平板電腦的電池壽命延長多達30%。法國晶片研發機構 CEA-Leti 握有FDSOI技術關鍵專利,該機構也聲稱能提高最多20%的行動設備速度,相當於能為一款行動設備提供額外的4小時網路瀏覽時間。

製造和供應鏈是關鍵

Leti 和 IBM 的研究人員以及SOI晶圓供應商 Soitec 正共同開發 FDSOI 技術。而與ST-Ericsson的合作則將為該技術提供一個可微縮到20nm及以下製程的開發平台。

Leti的研究人員表示可在22nm節點達到更小的閘極長度,並因而減少了寄生效能。這將大幅提升性能,再加上使用種為背閘偏置(back-gate biasing)的技術,還可降低功耗,讓製造商在行動市場中為其產品提供「顯著的差異化」,ST的Magarshack說。

他進一步表示,ST正與Globalfoundries合作推動「FDSOI生態系統」。ARM公司的Ron Moore也指出,下一步將再把該製程的低功耗優勢擴展到伺服器和其他的行動基礎設施領域。

Moore指出,目前的行動基礎設施大約是用一台伺服器來支援600部智慧手機的使用。未來幾年內,隨著可預見的智慧手機爆炸性成長趨勢,預計也將需要更多伺服器來支援,屆時,這些設備都會更需要低功耗特性和提升性能。

合作夥伴承認,他們與英特爾在下一代行動晶片領域的主要競爭,最終都將回歸到所能展示的FDSOI技術製造能力,以及能否為行動市場的設備製造商降低風險。FDSOI的支持者表示,英特爾的FinFET在該公司推出14nm節點前都不會進入量產,而他們則已經在28nm節點生產,並準備前進到20nm。

SOI產業聯盟執行總監Horacio Mendez堅稱“供應鏈就快要成形,”他並表示在六至九個月內就可提升到滿載生產。“我們不需要擔心FDSOI供應鏈。”

編譯: Joy Teng

(參考原文: Ecosystem emerges around new moble chip tech ,by George Leopold)





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