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瑞薩第7代IGBT系列為工業應用提供高效能解決方案

上網時間: 2012年08月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IGBT  RJH  RJP65S  RJP1CS  工業馬達 

瑞薩電子(Renesas electronics)發表13款具備高效能的第7代絕緣閘雙載子性電晶體(IGBT)系列新產品。新款 IGBT 包括650V的 RJH/RJP65S 系列與1250V的 RJP1CS 系列。新款 IGBT 可將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝置,適用於例如太陽能發電機與工業馬達的功率調節器(功率轉換器)等處理高電壓及大電流的設備。

瑞薩第7代IGBT技術以強化薄型晶圓製程為基礎,權衡了傳導、切換損耗及穩定效能而達到低損耗,且提高短路耐受能力。針對馬達控制應用,裝置的短路耐受能力是設計上的關鍵參數。相較於第6代技術的600V與1200V系列產品,第7代系列產品具有較高的額定電壓650V與1250V以因應低作業溫升及過電壓耐受能力之需求,同時具備10us額定短路耐受能力,可廣泛應用於馬達控制。

為了權衡飽和電壓,在大電流作業下達成低損耗以及高達10微秒短路電流耐受能力,瑞薩開發出高效能 IGBT 。新款 IGBT 的主要功能包括降低飽和電壓,650 V版本為1.6 V,1250 V版本為1.8 V,以提供更優異的電源效率。獨家超薄晶圓技術可將650 V版本產品的飽和電壓從早期瑞薩同等產品的1.8 V(典型值)降低至1.6 V(典型值),並可將1250 V版本產品從2.1 V降低至1.8 V,分別降低12%及15%。如此可降低功率損耗並有助於提升效率。

10微秒高短路耐受能力可提供更高水準的可靠性。高短路耐受能力對於大電流應用而言是非常重要的,藉由最佳化晶片架構的技術,瑞薩從早期同等產品的8微秒(μs)左右提升至10 μs以上。如此可確保在例如太陽能轉換器之功率調節系統中達到優異可靠度與穩定效能。此外,藉由最佳化裝置的表面架構,相較於瑞薩早期產品,反向傳輸電容器(Cres)已降低約10%。這有助於更快速的切換並能夠生產更具效率的電源轉換器電路。

這些效能的提升有助於降低各種應用的功率損耗及提高運作的穩定度,例如,三相轉換器電路,其廣泛用於大電流應用領域下之太陽能轉換器或產業用變頻器控制馬達。

瑞薩並計劃推出一系列套件解決方案,其中包含新款 IGBT 產品、用於馬達與轉換器控制的瑞薩 RL78 與 RX 系列 MCU ,以及用於功率裝置驅動的光耦合器。瑞薩還將推出配備新款 IGBT 產品的開發板,以支援客戶的整體評估與系統設計。

新款 IGBT 產品的出貨形式為晶圓/晶片,RJH65S系列則提供TO-247A封裝。13款新 IGBT 產品(包含650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列)自2012年七月開始供應樣品,預定2012年9月開始量產,並預估至2013年4月達到每月50萬顆的產能。





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