Microsemiz發表新一代1200V非貫穿型IGBT

美高森美(Microsemi)發表新一代1200V非貫穿型(non-punch through，NPT)系列的三款 IGBT 新產品： APT85GR120B2 、 APT85GR120L 和 APT85GR120J 。該產品系列的所有元件均採用美高森美的先進Power MOS 8 技術，整體開關和導通損耗比競爭解決方案顯著降低20%或以上。這些 IGBT 元件專為如焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等高功率的高性能開關模式產品而設計。

美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化矽蕭特基(Schottky)二極體組合封裝，為工程師提供高整合度解決方案，以便簡化產品開發工作。其它特性包括：閘極電荷(Qg) 比競爭產品顯著減少，提供更快的開關性能；硬體開關運作頻率高於80 KHz，達到更高效率的功率轉換；易於並聯 (Vcesat之正溫度系數)，可提升高功率應用的可靠性；以及額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，為需要短路能力的應用提供可靠運作。

此外，美高森美將於短期內提供採用SOT-227封裝的APT85GR120JD60元件，包含了一個採用美高森美的專有採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的60A反向平行 (anti-parallel) 超快速恢復二極體。APT85GR120B2電晶體採用TO-247 MAX封裝，APT85GR120L採用TO-264封裝，APT85GR120J則採用SOT-227封裝。