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聯電宣佈完成12V高壓eFlash製程驗證

上網時間: 2012年10月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:聯華電子  聯電  eFlash  高壓  製程 

聯華電子(UMC,以下簡稱聯電)宣佈,已順利驗證晶圓代工業界首個結合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程。此製程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓,以及存放演算法所需的eFlash,結合於同一顆高整合度的單晶片中,並且有效地改善信噪比(SNR)。

與業界所提供的其他高壓選項(例如18V、24V或32V)相比,此12V解決方案在信噪比與耗電之間,提供了絕佳的平衡。聯電特殊技術開發處處長陳立哲表示:「聯華電子建構了完整的技術平台,該平台包含了尖端技術與客戶導向的特殊技術,並能充分滿足客戶廣泛應用產品的需求。作為第一家推出整合eFlash製程的12V至鋁製程A+平台之晶圓專工公司,讓我們有能力掌握中大尺寸觸控面板快速成長的市場契機。我們將與客戶攜手合作,協助其充分利用聯華電子技術所帶來的優勢。」

聯電現有 0.18微米與 0.11微米 eFlash 產品的成功經驗,為此新的12V eFlash 平台的順利推出,打下了穩固的基礎,並可藉此協助客戶在蓬勃發展的觸控晶片市場中,加速產品上市時程,同時差異化其產品定位。聯電現已大量出貨eFlash晶圓,數家晶片設計公司也已經在其觸控螢幕產品上,採用並且驗證了聯電的12V eFlash解決方案。聯電12V eFlash技術目前已於0.11微米與0.18微米製程上提供給客戶使用。





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