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ISSCC:三星展示big.little,英特爾、Nvidia缺席

上網時間: 2012年11月22日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英特爾  Nvidia  Haswell  丹佛計畫  ISSCC 

三星(Samsung)將在明年二月的國際固態電路大會(ISSCC)中,展示採用 ARM big.little 概念的行動應用處理器。

這是少數將在該會議大披露的新款微處理器,但包括英特爾(Intel)的 HaswellNvidia 的丹佛計畫(Project Denver),都很明顯地缺席。不過,英特爾和 Nvidia 都將就新的晶片到晶片連接提出最新論文,展示他們對未來處理器的規劃。

三星將揭露具有兩個四核心叢集的 28nm SoC 詳細資料。其中一個叢集執行在1.8GHz,具有2MB L2 快取,主要針對高性能應用;另一款速度為1.2GHz,可用於調節能源效率。

該晶片與 ARM 所提出之採用 32位元 A15 和 A7 核心的 big.little 架構相同。今年10月時,ARM曾表示這種方法提供了比預期還要高的效益,未來將廣泛應用在智慧手機中。

Linley Group 資深分析師Kevin Krewell表示,三星將推出首款 big.little 處理器。 A7 核心應該能處理大多數智慧手機的任務,而A15核心則處理需要高性能的需求,如遊戲。

而其他如高通(Qualcomm)、 Nvidia 和其他預計2013年推出,將與英特爾 22nm Haswell 在平板市場競爭的處理器則並未計劃在 ISSCC 上披露。根據過去經驗,英特爾在會議上提出的論文向來與處理器無關。

不過,這家 x86 巨擘將描述一款頻寬達1Tb的可擴展64通道晶片到晶片互連。 該鏈路使用多個2~16Gb/s通道,執行在0.8~2.6 pJ /bit,採用32nm CMOS製程,總匯流排功耗為2.6W

這篇文章介紹了英特爾研究院(Intel Labs)的研究成果。英特爾實驗室資深首席工程師Bryan Casper表示,該論文描述了使用Samtec的micro-twinax線路,以及 Ardent Concepts 的連接器來連接Tb/s等級的晶片,否則功耗可能會拉升至20W。

Casper表示,直徑1到2mm的線束將是“我們在跨越行動和伺服器應用時,向前邁進的重要技術。次pJ /bit I/O非常重要,因為這是快速開啟和關閉I/O連接的關鍵。”

Nvidia 將描述一款20Gb/s的串列晶片到晶片28nm CMOS,它採用0.9V電源,電源效率0.54pJ/b。這項互連技術可能會與Nvidia的丹佛計畫整合,也可能應用在從筆電到超級電腦等所有ARM和繪圖核心處理器系列中。

此外,中國科學院計算技術研究所(ICT)將提出新版龍芯3B處理器 (Godson 3B),該元件採用32nm。在此之前,ICT展示過八核心65nm CPU,並建議直接跨越到32nm。

在ISSCC上,工程師將詳細介紹Godson-3B1500,這是一款32nm high-K金屬閘極元件,在1.35 GHz、40W條件下可提供172.8 GFLOPS性能。在同等功耗條件下,新處理器性能較65nm版本的128 Gflops有顯著提升,這主要歸功於新製、架構和電路的改良。

在其他論文中,德州儀器(TI)和麻省理工學院(MIT)將提出一款200MHz的影像解碼器,可符合高效影像編碼標準,提供每秒249M畫素性能。它支援3,840 × 2,160畫素解析度,在0.9V時耗電76mW。

瑞薩(Renesas)將描述一款整合手機晶片,其中包含28nm雙核心1.5GHz CPU、 LTE/HSPA + 基頻數據機處理器、繪圖加速器和電源管理單元。 AMD, IBM和甲骨文(Oracle)則將分別就其 Jaguar, zSeries 和 Sparc T5 發表論文。

編譯: Joy Teng

(參考原文:ISSCC: Samsung big.little, but no Intel, Nvidia CPUs,by Rick Merritt)





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