Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

X-FAB首創200V SOI晶圓代工技術

上網時間: 2012年11月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SOI  MOS  獨立溝漕電介質  PoE  XT018 

X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 製程,這是 180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)代工製程,其完全隔離型的模組化製程讓不同電壓的區塊能夠整合在單一晶片上,大幅減少了印刷電路板的元件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。

XT018 SOI技術是市面上唯一的180nm代工製程,適用於100V到200V電壓範圍的應用。XT018適合需要雙向隔離的消費性、醫療、通訊和工業應用,例如PoE、超音波傳送器、壓力作動器與電容驅動的微機械系統。

這項新技術以1.8V/5.0V的I/O與多達6層金屬的180nm製程,結合了完全隔離的MOS元件來實現高壓汲極(high-voltage drain)。獨特的製程架構運用超接面(super-junction)結構與專利型的高壓端隔離MOS元件,實現精巧的Ron設計,100V NMOS元件為0.3mm2、200V NMOS元件為1.1mm2。在low side與high side的操作中,HV MOS元件均擁有相同的特性參數。

XT018的製程模組中有5V-only的模組適用於類比的應用,還有HVnmos與HVpmos模組可分別選擇。這項技術完全適用於-40℃到175℃的溫度範圍。

除了HV電晶體之外,XT018提供一層厚的金屬層以支援大電流繞線、隔離型的10V MOS、基本的junction diodes與bipolar、中高阻值的poly電阻、高面積效益的MIM電容(2.2至6.6 fF/μm2),以及高壓電容。超接面技術(super-junction)讓rectifying diodes擁有20ns的逆向復原時間(reverse recovery time),也讓整流器(rectifiers)與bootstrap電路能夠有效地被整合到晶片上。

XT018 設計套件已經完備,設計人員可立即著手設計。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - X-FAB首創200V SOI晶圓代工技術
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首