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RFMD發表線性GaN功率電晶體系列產品

上網時間: 2012年12月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaN  UPT  RFHA3942  RFHA3944  PAR 

RF Micro Devices, Inc. (RFMD)發表兩款高線性氮化鎵(GaN) RF 不匹配功率電晶體(UPT) RFHA3942 (35W) 及 RFHA3944 (65W),提供相較於競爭性 GaN 電晶體更卓越的線性效能。

RFHA3942 和 RFHA3944 的發表是承繼先前推出的 RF393X 系列 UPT ,其主要鎖定連續波(CW)和脈衝峰值功率應用。全新系列的 GaN 分離式放大器針對 back-off 作業或較低雜散性能的寬頻應用而最佳化。 RFMD 計劃在未來12個月內進一步發表10W和95W線性 GaN 元件來提升其技術地位,以大幅擴充 RFMD 提供給客戶的氮化鎵 UPT 產品選項。

RFMD 的高線性 GaN UPT 鎖定新型和現有要求更高寬頻線性性能的通訊架構,以支援高峰值對平均值調變波形。 RFHA3942 和 RFHA3944 在廣泛的頻率範圍(DC至4GHz)內均為可調,並提供分別為35W和65W的CW峰值功率。其同樣提供了15dB高增益和>55%的高峰值效率。透過IS95 9.8dB PAR 訊號調整至2.1GHz, RFHA3942 可於34dBm POUT 達到-43dBc的相鄰通道功率(ACP),而 RFHA3944 則可於37dBm POUT 達到-54dBc ACP 。

此外, RFHA3942 和 RFHA3944 還於封裝輸入和輸出提供高終端阻抗,因此可在單一的放大器中達到寬頻增益和功率效能優勢。 RFHA3942 和 RFHA3944 採用法蘭瓷two-lead封裝,充分運用了RFMD的先進散熱片和電源散熱技術,以提供卓越的熱穩定性和傳導性。

RFMD功率寬頻業務部副總裁暨總經理Jeff Shealy表示:「RFMD非常高興擴大其GaN產品組合,透過業界的線性功率性能,以支援多樣化的終端市場。RFMD的氮化鎵產品組合清楚地說明了我們在技術和產品領先地位上持續性的承諾,我們期待推出更多具有卓越功率密度、高效率、堅固耐用,以及具備綠能電源優勢的 GaN 元件。」





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