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創意電子推28nm DDR3-2133/LPDDR2複合式IP

上網時間: 2012年12月27日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:28nm  IP  DDR3  LPDDR2  HPM 

創意電子宣佈,在廣泛的 28nm 晶片驗證 IP 陣容中新增 DDR3-2133 / LPDDR2 複合 PHY 與 Controller IP。全新複合式 IP 使用台積電的 28nm HPM 製程,提供 PHY、控制器與 DDR系統完整的解決方案。

新的 IP 面積比功能類似的 40nm IP 更小 20%,最適用於需要高頻寬 DDR3-2133 ,並且以台積公司的 28HPM 先進製程技術為目標的設計。

「考慮到昂貴的 28nm 開發成本,設計人員無須尋求任何一個可能性,將最多功能整進最小的面積中。」創意電子總經賴俊豪表示:「這個全新的 PHY 與控制器複合式 IP 不但滿足上述需求,也同時讓您能夠使用台積公司最先進的製程技術。」

提供彈性客製化 IC 服務(Flexible ASIC Services)的關鍵在於能否提供 SoC 整合。特別是對於開發 65nm 以下先進技術晶片的設計人員,不但可以取得創意電子卓越的高效能自有與第三方 IP 陣容,現在並擴及於全新的 28nm DDR3-2133/LPDDR2 複合式 IP。

創意電子自有 IP 涵蓋高速 SerDes 、 DDR 、資料轉換器、 JPEG 及 NAND 快閃記憶體控制器。創意電子 IP 結合絕佳彈性與世界級效能,能夠實現高價值和高效能 SoC。





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