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富士通全新1Mbit和2Mbit FRAM打造小型化設備

上網時間: 2013年04月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FRAM  MB85RS1MT  MB85RS2MT  SPI  EEPROM 

富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)宣佈推出兩款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM 產品 MB85RS1MTMB85RS2MT 。新產品是目前富士通系列產品中最高容量的序列介面 FRAM 元件,自3月底開始為客戶提供樣品。

富士通半導體持續開發 FRAM 系列產品,全新的 MB85RS1MT (1Mbit)和 MB85RS2MT (2Mbit)為目前富士通提供的最高容量的 SPI 序列介面 FRAM 元件。兩款新型 FRAM 元件保證提供10萬億次的讀/寫週期,是現有FRAM晶片的10倍,可針對即時、連續資料記錄提供更好的支援,適用於智慧電錶、工業機械和醫療設備等應用。

智慧電錶、量測設備、工業機械和醫療設備(如助聽器)等設備都需要序列介面的1-2 Mbit非揮發性記憶體,現在已可採用富士通半導體的全新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在提升快速寫入功能後更可提供更高的效能,同時也將因電壓突然下降或者停電引起的資料遺失風險降至最低。相較於相同容量的 EEPROM 元件, MB85RS1MT 和 MB85RS2MT 寫入時可減少92%的用電功耗,延長電池壽命。

對於使用 SRAM 記錄資料和使用 EEPROM 儲存參數和程式的工業機械用途而言,新款 FRAM 產品可將 EEPROM 、 SRAM 和用於資料保存的電池系統記憶體元件所需的功能整合至單一晶片中,進而減少所需元件的數量,更不必更換電池,因而可大幅降低元件成本、電路板面積和功耗,有助於發展更小型、低功耗的設備,不再需要備用電池。

FRAM 具備非揮發性資料儲存功能和高速資料寫入的隨機存取優點。不但提升效能,更能在儀表設備等應用面臨電源臨時中斷時保護資料。 FRAM 寫入機制仍能確保資料可高速寫入 FRAM 元件,而不會損失任何重要資料。富士通半導體的FRAM產品自1999年量產後,憑藉這項功能帶來的優勢,已廣泛採用於工廠自動化設備、量測設備、金融業銷售點管理和醫療設備等領域。

新型的 FRAM 產品擁有減少電路板面積、不必更換電池、降低功耗和元件成本等四大優勢。展望未來,富士通半導體將持續為客戶提供解決方案、協助客戶提高產品效能和設備維護,並大幅降低風險。富士通半導體計劃在在本月底開始為客戶提供 MB85RS1MT 和 MB85RS2MT 的樣品。





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