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英飛凌發表CoolMOS C7系列超接面MOSFET

上網時間: 2013年06月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英飛凌  MOSFET  超接面  CoolMOS C7  Infineon 

英飛凌(Infineon Technologies)擴充其高電壓產品組合,推出全新 650V 超接面 MOSFET 技術 CoolMOS C7 產品。新款 C7 產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳 RDS(on),此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率。

C7 適用於硬式切換拓樸,例如連續導通模式功率因子校正 (CCM PFC)、雙電晶體順向式 (TTF) 與太陽能升壓。典型的應用為太陽能、伺服器、電信和不斷電系統 (UPS)。C7 擁有 650V 的崩潰電壓,因此也適合需要額外安全餘裕的應用。

C7 系列提供業界最低的 RDS(on) ( TO-247 封裝為 19m2, TO-220 和 D2PAK 封裝為 45m2 )。C7 的快速切換效能現在可讓客戶產品首次以高於 100 kHz 的切換頻率運作,同時在伺服器 PFC 等級達成鈦金級的效率。這可減少被動元件所需的空間,進而實現更高的功率密度。

此外,輸出電容 (Eoss) 中所減少的能源與低閘極電荷 (Qg),也可在輕負載狀況下提高效率。結合同級最佳效能的 C7、英飛凌新碳化矽 (SiC) thinQ! 第 5 代 蕭特基二極體系列與 ICE2/ICE3 控制 IC,可為設計人員帶來無可比擬的 CCM PFC 電路效能。650V CoolMOS C7 產品的樣品現已推出,預計於 2013 年 6 月開始量產。





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