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Infineon與Globalfoundries合作生產40奈米eFlash製程

上網時間: 2013年04月30日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:英飛凌  Globalfoundries  40奈米  eFlash  合作 

英飛凌科技(Infineon Technologies)與晶圓代工業者格羅方德 (Globalfoundries)宣佈共同開發並合作生產 40奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術。這項合作案將著重於以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發,以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據點生產,初期於新加坡,後續則將轉移到位於德國德勒斯登的廠房。

英飛凌董事會成員 Arunjai Mittal 表示:「採用 40nm 製程結構的新一代嵌入式快閃記憶體微控制器,將進一步提升我們在汽車及晶片與安全防護市場的競爭優勢。我們相信格羅方德將以他們優異的製造經驗以及分佈於不同地區的據點,滿足英飛凌在品質、架構安全性和企業永續性等方面的嚴格需求。」

格羅方德執行長 Ajit Manocha 表示:「英飛凌選擇格羅方德做為其 40nm 嵌入式快閃記憶體技術節點的晶圓代工夥伴,是對我們能由跨區域的多間晶圓廠房支援單一代工廠解決方案 (one-foundry-solution) 獨特能力的肯定。我們致力於提供領先的技術和製造能力,滿足英飛凌的業務所需。我們期盼能與英飛凌建立長遠的合作關係,協助英飛凌在這個變化快速的產業獲致成功。」

這項與格羅方德的合作案符合英飛凌在 65nm 以下的 CMOS 技術採用共同技術研發的策略。安全晶片預計將於 2015 年下半年進行製程及產品驗證,汽車微控制器則預計於 2017 年上半年開始製造。英飛凌及格羅方德在開發及製造範疇有著長期的合作關係,其中包括 CMOS 低功率手機產品的共同開發及製造。





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