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東芝打造3D NAND Flash新廠

上網時間: 2013年07月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:3D  NAND  快閃記憶體  Fab 5  產能 

東芝公司(Toshiba)宣佈將在今年八月啟動位於日本三重縣四日市的 Fab 5 新廠第二期工程,準備增加 NAND 快閃記憶體的製造產能,同時轉移至 3D NAND 生產。

這項工程預計將在2014年夏天完成,東芝強調,目前尚未決定任何設備投資等細節,但未來將視市場動向而定。這表示東芝為該新廠的資本支出規模與速度,將取決於市況而調整。

在2012年7月,東芝曾經因考慮到市場供過於求以及晶片降價壓力,因而削減30%的 NAND 快閃記憶體產量。然而,在不到六個星期的時間,NAND快閃記憶體的一些客戶們就開始抱怨記憶體晶片不足,而多年來持續降價的NAND 晶片在2013年開始止跌回升。此外,日圓走軟也讓東芝較三星和SK海力士等競爭對手取得更佳優勢。

Fab5廠的第二期工程將更強調減少對於環境的影響。相較於同樣位於四日市的Fab 4廠,Fab5廠採用餘熱回收等基於 LED 照明和節能的生產方式,可望降低13%的二氧化碳排放量。

Fab 5廠第2期工程預計在裝機後,可望執行東芝多層 BICS (位元成本可擴展的) 3D NAND 記憶體製造製程。雖然這種技術目前尚未量產,但東芝將能主導 3D NAND 製造地位。2012年底,該公司曾宣佈開發出基於50nm垂直通道的16層原型設備,今年已可提供樣片,並預計在2015年量產。

編譯:Susan Hong

(參考原文:Toshiba to Build Fab for 3D NAND Flash,by Peter Clarke)





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