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EUV微影尚未功成 設備業者仍在努力

上網時間: 2013年07月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:EUV  微影  超紫外光  半導體  Semicon West 

在日前於美國舊金山舉行的 Semicon West 半導體設備展上,仍在開發中的超紫外光(EUV)微影技術又一次成為討論焦點;歐洲微電子研究機構IMEC總裁暨執行長Luc Van den Hove在一場座談會中表示:「EUV仍然是半導體產業界的最高優先。」

荷蘭微影設備業者 ASML 在5月份以26億美元完成收購微影光源供應商Cymer,此收購案被認為是ASML更進一步堅定了發展EUV光源的決心;Cymer 是市場上三家被認為所開發之光源設備足以支援商業量產EUV設備的廠商之一。

而在 2月份,在另一場微影技術研討會(SPIE Advanced Lithography Conference)上,ASML所發表的資料顯示,該公司已將微影設備最大光源功率(source power)調高至55瓦。ASML發言人Ryan Young近日指出,55瓦應該足以支援產量每小時43片晶圓的EUV設備;而他也指出,ASML已經證實該光源能支援最大50瓦功率很長一段時間。

Young表示,ASML的EUV預產設備NXE:3100已經即將完成開發,一旦該公司將新的光源移植到擁有較大驅動雷射的NXE:3300系列EUV設備上,其50瓦功率可再提升至80瓦,支援每小時60片晶圓的產量。

根據Young的說法,提升光源功率──是EUV技術量產的一大瓶頸──是ASML目前唯一需要再取得進展的部分,該公司除將持續改善光源的原始功率,也將聚焦於有關可用性與劑量控制(dose control)等其他需要改善的地方。

Young指出,ASML的最新目標是在2014年左右的時間,達到可支援每小時70片晶圓的設備產量,這個吞吐量數字會是讓客戶認為值得投資EUV設備的臨界點;但他也強調:「每個客戶的製程都不一樣。」

多數晶片製造商可能會認為EUV設備達到每小時100~150片晶圓產量,才具成本效益;但也有廠商認為,一開始每小時達到60~80片產量是可接受的。原本產業界預期EUV技術可在一年前量產,但卻遇到不少阻礙使得時程拖延;目前ASML有七套預產EUV開發設備。

英特爾在去年收購了15%的ASML股權,並拿出了額外約41億美元的資金專門支援EUV微影開發,期望能在2015下半年的10奈米節點佈署EUV設備。不過在英特爾也表示打算擴展光學浸潤式微影在10奈米節點的應用,以因應屆時EUV技術尚未準備就緒的狀況;三星(Samsung)與台積電(TSMC)也與ASML建立了類似的開發合作關係。

IMEC業務開發執行副總裁Ludo Deferm表示,光學浸潤式微影擴展至10奈米節點在經濟上恐怕不可行,因為需要三道甚至更多的光罩,意味著成本可能會大幅增加。不過他也指出,IMEC認為EUV終有一天會邁向量產:「我們對此很有信心,但我們沒用水晶球占卜,無法準確說出未來將會如何。」

編譯:Judith Cheng

(參考原文: EUV Litho Still a Work in Progress,by Dylan McGrath)





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