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英飛凌推出全新TO無鉛封裝產品

上網時間: 2013年05月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:TO  無鉛封裝  OptiMOS MOSFET  英飛凌  Infineon 

英飛凌科技(Infineon Technologies)推出全新的 TO 無鉛封裝產品,能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸,還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET,適用於具有高功率和穩定性需求的應用,像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。

全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受高達 300A 的高電流。封裝電阻較低,因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 少 60%,能將設計體積減到最小。TO 無鉛封裝的體積大幅減少 30%,讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%,在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外,封裝的寄生電感較低,因此 EMI 特性更佳。

再加上,TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%,因此電流密度得以降低。如此可避免在高電流量和高溫下發生電遷移,進而提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是,TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳,因此能夠用肉眼檢查。此種全新封裝是高功率應用的最佳選擇,能滿足應用對高效率、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散熱特性等的需求。

TO 無鉛封裝目前已開始提供 30V (最高0.4 mΩ)、60V (最高0.75 mΩ)、100V (最高 2.0 mΩ)和 150V (最高 5.9 mΩ)等規格的樣品,預計自 2013 年第三季開量產。





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