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GT Advanced Technologies推出碳化矽爐新產品線

上網時間: 2013年07月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SiClone100  碳化矽  SiC  生產爐  材料 

GT Advanced Technologies推出新型 SiClone100 碳化矽(SiC)生產爐。 SiClone100 採用昇華生長技術,能生產出高品質的半導體 SiC 晶體塊,可最終製成最大直徑為100毫米的晶片。在其初步階段, SiClone100 主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。

GT的總裁兼執行長Tom Gutierrez表示,GT新推出的 SiClone100 爐將解決電力電子產業對更高品質 SiC 材料的需求,這些材料將用於生產先進的高功率及高頻設備。 SiClone100 為我們的 SiC 產品藍圖奠定堅實基礎,根據藍圖我們預計在未來向客戶提供可生產八英吋 SiC 晶片的完整生產環境,包括配方、熱場及耗材。"

GT利用其在晶體生長技術領域深入的專業知識,為正尋求「從實驗室向工廠轉化」的客戶提供高度可靠及經驗證的平台,幫助客戶開始量產SiC晶體塊。 SiClone100 爐裝備有最先進的控制系統,透過將爐電子與人機介面(HMI)相結合,實現生長過程的自動化。 SiClone100 採用底部灌裝設計,因而令熱場灌裝變得簡單。 控制系統為用戶帶來更大的靈活性,用戶可根據需要制訂過程配方及控制生產參數,例如溫度、剖面、斜度及氣流,因而改善持續執行的控制重復性,最終降低製造成本。 GT 的現場工程師及支援團隊將幫助客戶快速啟動量產。

該公司預計 SiC 爐的銷售情況將僅佔其2013歷年收入的1%以下,並預計2014年及之後的SiC爐收入情況將會逐步好轉,原因是新電力設備有關的設計週期較長。





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