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富士通新推150V耐電壓GaN功率元件

上網時間: 2013年08月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaN  功率元件  富士通  MB51T008A  電源 

富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片 MB51T008A ,耐電壓能達到150V。富士通半導體將於2013年7月開始為客戶提供樣品。

MB51T008A 的初始性能狀態為常關型(Normally-off),與同級耐電壓的矽功率元件相比,優值因數(FOM)可降低將近一半。採用富士通半導體的GaN功率元件,客戶能設計出體積更小、效率更高的電源元件,並廣泛運用於家電、ICT設備和汽車電子等領域。

MB51T008A 具備許多優點,包括:(1) 擁有13 mΩ的導通電阻,而總閘極電荷為16 nC。若使用相同的耐電壓,MB51T008A的優值因數(FOM)大約是矽功率元件的一半;(2) 採用WLCSP封裝,能達到最低的寄生電感並支援高頻率運作;(3) 專有的閘極設計,可預設關閉狀態,以執行常關型運作。

MB51T008A適合使用DC-DC轉換器中的高側開關和低側開關的資料通訊設備、工業產品和汽車電子等應用;此外,由於MB51T008A支援電源電路中更高的切換頻率,因此能縮小電源產品尺寸並提高效率。富士通半導體計畫於2013年7月開始為客戶提供樣品,並於2014年開始量產。

除了提供耐電壓達到150V的MB51T008A,富士通半導體還開發了耐電壓為600 V 和30 V的產品,進而有助於在更廣泛的產品線中提高電源效率。這些GaN功率元件晶片採用富士通研究所自1980年起開創研發的HEMT (高電子遷移率電晶體)技術。

富士通半導體在GaN領域擁有多項專利技術和IP,可將GaN功率元件產品快速導入市場;並計畫與各領域中的客戶建立合作夥伴關係,以利未來拓展業務。





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