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ST推出首款採用TO-247封裝的650V車規MOSFET

上網時間: 2013年08月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:STW78N65M5  STW62N65M5  TO-247  AEC-Q101  MOSFET 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)的 STW78N65M5STW62N65M5 是首款採用 TO-247 封裝的 650V AEC-Q101 車規 MOSFET 。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠為目標應用帶來更高的安全係數,有助於提高汽車電源控制模組的可靠性。這兩款元件擁有極低的導通電阻(RDS(ON)),分別是0.032和0.049,結合精巧的 TO-247 封裝,可提高系統能效和功率密度。

新產品採用意法半導體的 MDmesh V 超接面(super-junction)技術。此項技術可製造單位矽面積導通電阻RDS(ON)極低的高電壓元件,使晶片的封裝尺寸變得更小。閘電荷(Qg)和輸入電容器也極低,因此, Qg x RDS(ON)品質因子(FOM)極其出色,並擁有高開關性能和能效。此外,其優異的抗雪崩(avalanche)特性可確保元件在持續高電壓環境中擁有高耐用性。

MDmesh V 整合意法半導體專有的垂直式製程(vertical process)技術和經驗證的 PowerMESH 水平式架構(horizontal architecture),導通電阻較同等級的MDmesh II元件減少大約50%。

意法半導體採用TO-247封裝的650V車規 MOSFET 現已量產。





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