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ST串聯式二極體提供經濟的碳化矽替代方案

上網時間: 2013年09月24日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:串聯式二極體  QRR  碳化矽  STTH8T06DI  STTH8ST06DI 

意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出第二代串聯式二極體(tandem diodes),讓設計人員以高成本效益的方式提升設備能效,目標應用包括電源、太陽能轉換器以及電動交通工具充電點。

與第一代產品相較,新款二極體產品降低了反向恢復電荷(QRR),因而能最大幅度地降低開關損耗,能效優勢高於標準超高速二極體。 QRR 參數變低並有助於加速電路設計微調(fine-tuning)速度,進而縮短產品上市時間。新產品的性能可與碳化矽二極體相較擬,但價格比碳化矽二極體低至少30%。

加入意法半導體600V串聯式二極體系列的新一代產品包括擁有8A平均正向電流(average forward current)的 STTH8T06DI 和 STTH8ST06DI 及擁有12A平均正向電流的 STTH12T06DI 。新產品的正向峰值突波電流(peak forward surge-current)與超高速二極體相同,可確保穩健性和可靠性,並擁有寬達-40℃到175℃的工作結溫(junction-temperature)範圍。

三款元件均已投入量產,採用TO-220AC絕緣散熱柱型(isolated-tab)封裝。





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