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Cypress平行式nvSRAM協助打造LSI SAS介面卡

上網時間: 2013年10月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SAS  介面卡  HBA  nvSRAM  記憶體 

Cypress Semiconductor宣佈,LSI新款12 Gb/s SAS 介面卡(HBA)選用Cypress的平行式非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAMs),這些介面卡將用在高效能伺服器、工作站、及外接式儲存系統。 NvSRAM 為 SAS 介面卡提供高速、低電壓的故障保護(fail-safe)記憶體,提升LSI解決方案的性能。此外,平行式 nvSRAM 具高度彈性,不僅能在不同電壓下運作,還能像日誌記憶體一樣能夠設立追蹤紀錄。

LSI最近所推出的LSI SAS 9300 HBA 系列,為首款12Gb/s SAS 介面卡解決方案,支援高效能伺服器、工作站及外接式儲存系統。此系列不僅能加速儲存作業速度,還設計用來滿足各種高效能應用對於不同環境的要求,其中包括交易資料庫、 Web 2.0 、資料探勘、影音串流與編輯等。

Cypress的平行式 nvSRAM 存取時間僅25奈秒,為市面上最快的非同步非揮發 RAM 。Cypress的 nvSRAM 支援無限次的資料讀寫與召回期限,資料保存期長達20年,因此非常適合運用在需要持續高速寫入資料,以及非揮發性儲存資料維持絕對安全性的應用,而且不需電池供電就能備份資料。

LSI公司行銷部資深總監Robin Wagner表示:「轉移至12 Gb/s SAS 的主要原因是企業必須管理資料中心內持續增加的儲存容量。關於使用 nvSRAM 作為日誌記憶體,Cypress已有成功的經驗,在這方面它們能符合 LSI 9300 系列產品的各項嚴苛效能要求。平行式 nvSRAM 的彈性,運作範圍能延伸至電壓3伏特以下,不僅能簡化設計流程,還可加速產品上市時程。」

Cypress公司非揮發產品事業部資深總監Rainer Hoehler表示:「我們很高興儲存業界領導廠商LSI能選用Cypress的平行式 nvSRAM 記憶體。運用在業界首款12Gb/s解決方案,驗證了平行式 nvSRAM 所提供效能的卓越與可靠性。」

平行式 nvSRAM 提供從256 kb到8 Mb的密度,包含多種組態版本。新款元件能在所有工業溫度下運作,並提供各種業界標準封裝,包括32-SOIC、44-TSOPII、48-SSOP、48-FBGA、及54-TSOPII。

Cypress的 nvSRAM 是採用 SONOS (矽氧氮氧矽)嵌入式非揮發記憶體技術所製造。 nvSRAM 是各種需要高效能與絕對非揮發資料安全性應用的理想解決方案,包括像磁碟陣列系統、 PLC 可程式邏輯控制器、產業資料記錄器、運算與網路系統、馬達驅動器、路由器與交換器、航空電子、國防系統、以及遊戲系統。

Cypress正將SONOS 製程技術技術運用在其旗艦 PSoC 混合訊號陣列、可程式模組、以及其他產品上。 SONOS 相容於各種標準 CMOS 技術,並提供眾多優點,其中包括高效能、低功耗、以及抗輻射等。通過驗證的 SONOS 技術能在Cypress內部晶圓廠與多家晶圓代工夥伴的工廠運作。這項技術在擴充性與易製性方面勝過其他磁性非揮發記憶體技術。Cypress使用 nvSRAM 的 SONOS 製程技術產品出貨量已累積超過10億顆。





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