100%導電的Stanene新材料可望取代石墨烯

該團隊包括史丹佛大學以及美國能源部(DoE) SLAC國家加速實驗室的研究人員，他們根據石墨烯的名稱由來而將這種新的錫基材料命名為「stanene」──以錫的拉丁語「stannum」作為字首。然而，相較於石墨烯採用2D單層碳原子，這種stanene採用了單層錫材料。雖然他們盡量避免將這種材料稱為室溫超導體，但事實上卻是相當類似的。

加入氟原子(黃色)與錫原子(灰色)2D單層所實現的stanene新材料，可在室溫到高達100℃(約212℉)的高溫下沿邊緣(藍色和紅色箭頭)提供零阻抗。
（來源：SLAC）

「這並不是一種超導體，其差別是它只在邊緣實現100%的導電效率，此外，這種2D材料內部則是一種絕緣體，」張首晟解釋。

在實際作業時中，由於stanene的每個功能區都支援左右邊緣的兩通道零電阻數據流量，stanene互連線就像超導線材一樣雙雙並排。由stanene互連線提供的唯一阻抗將會出現在端點，即傳統晶片電路接觸點。

「關鍵的差異點在於，正常導體的總電阻值隨長度呈線性變化關係──導線越長，阻抗就越大，」張首晟說，「但對於stanene來說，唯一的阻抗來自接觸，所以線性總阻抗都是恆定，與導線長度無關。」

為了驗證該研究團隊的模擬結果，目前已在德國與中國分別展開了實驗。如果能夠成功製造satnene，並確認其所具有的特性，那麼對於晶片製造商來說可是個大好消息，他們將可改為採用stanene薄層來實現高速互連，從而大幅減少功耗與熱。

張首晟對於其模擬結果經實驗確認抱著很高的期望，因為該團隊已經長期針對各種拓撲絕緣材料特性進行預測與研究了，期望找到即表面導電但內部絕緣的材料。他們已經預測過碲化汞和其他幾種化合物可作為拓墣絕緣材料，同時也經過其後的實驗加以證明。當這些化合物以單層製造時，預期可在邊緣達到100%的導電效率，然而，卻和超導體一樣只能在低溫環境下實現。

「目前的許多材料研究仍處於實驗階段，但現在我們實際上可使用電腦和理論思維的力量，推動材料研究向前進展，因此，我們能夠根據所需的功能性來設計材料──這是半導體材料科學領域的一項持續性革命，」張首晟說。

張首晟目前正致力於在stanene薄層中加入閘極，以期製造出可在電晶體通道中以stanene取代矽晶的三端元件。張首晟還打趣道，如果能夠成功實現的話，或許有一天矽谷還會改名為「錫谷」(Tin Valley)呢！

編譯：Susan Hong

(參考原文：Stanene May Be Better Than Graphene，by R. Colin Johnson)

(參考原文：Stanene May Be Better Than Graphene，by R. Colin Johnson)